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EPC, 높은 전력밀도 애플리케이션의 유연한 설계 지원하는 GaN 제품군

EPC는 DC-DC 변환, AC/DC SMPS 및 충전기, 태양광 옵티마이저, 마이크로 인버터 및 모터 드라이브 등과 같은 높은 전력밀도의 애플리케이션을 위해 더 높은 성능과 더 작은 솔루션 크기를 제공하는 150V, 6mΩ EPC2308 GaN FET를 출시했다.

인핸스먼트 모드 질화갈륨(eGaN®) 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도 기업인 EPC는 열 성능이 향상된 QFN 패키지 기반의 150V EPC2308을 출시하고, 상용 GaN FET 제품군을 확장했다고 밝혔다. 이 디바이스는 전동공구 및 로봇의 모터 드라이브와 산업용 애플리케이션을 위한 80V - 100V 고밀도 DC-DC를 비롯해 충전기, 어댑터, 전원공급장치를 위한 28V – 54V 동기식 정류기, 스마트폰 USB 고속 충전기, 태양광 옵티마이저 및 마이크로 인버터를 위해 설계되었다. 

EPC2308 GaN FET는 낮은 전도성 및 스위칭 손실을 위해 매우 작은 QG, QGD, QOSS 파라미터와 함께 평균 4.9mOhm에 불과한 RDS(on)을 지원한다. 이 디바이스는 열 성능이 향상된 QFN 패키지로 풋프린트가 3mm x 5mm에 불과하며, 가장 높은 전력밀도 애플리케이션을 위해 극도로 작은 솔루션 크기를 구현할 수 있다. 이 패키지는 조립 및 검사를 간소화하는 웨터블 플랭크를 갖추고 있으며, 냉각기 동작 시 히트싱크를 통해 열 발산을 최적화하는 노출된 상단과 초저 열 저항을 제공한다. 

EPC2308은 이전에 출시된 100V, 1.8mOhm EPC2302 및 100V, 3.8mOhm EPC2306과 풋프린트 호환이 가능하다.

EPC의 공동 설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC2308은 150V GaN의 장점과 조립이 용이하고, 열적으로 향상된 QFN 패키지를 갖추고 있다. 설계자들은 이 패키지의 GaN FET 제품군을 사용하여 로보틱스 및 전동공구를 위한 경량의 작은 배터리 구동 BLDC 모터 드라이브를 비롯해 고효율 80V 입력 DC-DC 컨버터와 고효율 USB 충전기 및 전원공급장치 등을 구현할 수 있다.”고 밝혔다.

EPC90148 개발 보드는 EPC2308 GaN FET 기반의 하프 브리지이다. 150V의 최대 디바이스 전압과 12A의 최대 출력 전류에 적합하도록 설계되었다. 이 보드는 평가 프로세스를 간소화하고, 출시시간을 단축하는데 사용할 수 있다. 50.8mm x 50.8mm 크기의 이 보드는 최적의 스위칭 성능을 위해 설계되었으며, 보다 용이하게 평가를 수행할 수 있도록 모든 중요 구성요소들을 포함하고 있다. 

실리콘 MOSFET을 GaN 솔루션으로 대체하고자 하는 설계자는 EPC GaN 파워 벤치(Power Bench)의 교차 레퍼런스 툴을 이용하여 고유한 동작 조건에 따라 제안된 대체 제품을 찾을 수 있다. 

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.