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EPC, 까다로운 공간 애플리케이션을 위한 40V 정격 방사선 강화 GaN FET

글/반도체네트워크 편집부 2023.08.15

EPC는 두 개의 새로운 40V 정격 방사선 강화 GaN FET의 도입을 발표했다. EPC7001은 7mm2의 작은 공간에 40V, 4MΩ, 250A 펄스, rad-hard GaN FET이다. EPC7002는 1.87mm2의 작은 공간에 40V, 14.5MΩ, 62A 펄스, rad-hard GaN FET이다. 두 장치 모두 총 선량 방사선 등급이 1,000K Rad(Si)보다 크고 83.7MeV/mg/cm2의 LET에 대해 SEE 면역이 있다. 이러한 새로운 장치는 나머지 Rad Hard 제품군과 함께 칩 스케일 패키지로 제공됩니다. 패키지 버전은 EPC Space에서 제공된다.

EPC의 eGaN FET 및 IC는 높은 신뢰성 및 공간 적용을 위해 기존의 래드 하드 실리콘 장치에 비해 더 높은 성능의 대안을 제공한다. EPC의 래드 하드 장치는 래드 하드 실리콘 장치보다 상당히 작고, 40배 더 나은 전기 성능을 가지며, 전체 비용이 낮다. 더욱이 EPC의 래드 하드 장치는 방사선에 대해 우수한 저항성을 나타내어 전통적인 실리콘 솔루션에 비해 더 높은 총 방사선 레벨 및 SEE LET 레벨을 지원한다.

이러한 장치의 성능과 빠른 배치의 혜택을 받는 응용 프로그램에는 DC-DC 전력 변환기, 모터 드라이브, 라이다, 딥 프로브 및 우주 응용 프로그램을 위한 이온 스러스터가 포함된다. 이들은 특히 저지구 궤도(LEO) 및 지구 동기 궤도(GEO)에서 작동하는 위성 및 항공 전자 시스템에 적합하다.

EPC의 CEO이자 공동 설립자인 알렉스 리도우는 "래드 하드 제품군은 우주 및 기타 높은 신뢰성의 군사 애플리케이션과 같이 가혹한 환경에서 광범위한 애플리케이션을 포함하는 보다 효율적이고 강력한 시스템을 위한 상당한 우주 유산과 함께 탁월한 성능과 신뢰성을 제공한다"라고 말했다.

EPC7001 및 EPC7002는 현재 엔지니어링 샘플링에 사용할 수 있다.

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.