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EPC, 1mΩ 온-레지스턴스를 적용한 최초의 GaN FET

글/반도체네트워크 편집부 2024.04.03

GaN 전력 FET 및 IC 분야의 세계 선두업체인 EPC는 100V, 1mΩ EPC2361을 출시한다. 이는 시장에서 가장 낮은 온 저항 GaN FET로 EPC의 이전 세대 제품에 비해 두 배의 전력 밀도를 제공한다. EPC2361은 상단이 노출되어 있고 3mm x 5mm의 작은 설치 공간을 갖춘 열 성능이 강화된 QFN 패키지에서 단 1mΩ의 정격 RDS(on)를 갖는다.

매우 낮은 온 저항을 갖춘 EPC2361은 전력 변환 시스템에서 더 높은 전력 밀도와 효율성을 구현하여 에너지 소비와 열 방출을 줄인다. 이러한 혁신은 고전력 PSU AC-DC 동기 정류, 데이터 센터용 고주파수 DC-DC 변환, eMobility용 모터 드라이브, 로봇 공학, 드론 및 태양광 MPPT와 같은 애플리케이션에 특히 중요하다.

EPC CEO이자 공동 창업자인 Alex Lidow는 “우리의 새로운 1mΩ GaN FET는 GaN 기술로 가능한 것의 한계를 지속적으로 확장하여 고객이 보다 효율적이고 컴팩트하며 안정적인 전력 전자 시스템을 만들 수 있도록 지원한다.”라고 말했다.

개발 보드

EPC90156 개발 보드는 EPC2361 GaN FET를 갖춘 하프 브리지이다. 이 제품은 최대 장치 전압 100V 및 최대 출력 전류 65A용으로 설계되었다. 이 보드의 목적은 전력 시스템 설계자의 평가 프로세스를 단순화하여 제품 출시 시간을 단축하는 것이다. 이 2인치 x 2인치(50.8mm x 50.8mm) 보드는 최적의 스위칭 성능을 위해 설계되었으며 쉽게 평가할 수 있도록 모든 중요한 구성 요소를 포함하고 있다.

EPC2361의 가격은 3Ku 용량으로 개당 4.60달러이다. EPC90156 개발 보드의 가격은 개당 $200.00이다.

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.