죄송합니다. 더 이상 지원되지 않는 웹 브라우저입니다.

EPC, 나노초 내에 75A ~ 231A 레이저 다이오드를 제어하는 GaN FET로 첨단 자동차 자율 기능 지원

글/반도체네트워크 편집부 2024.01.13

EPC는 75A, 125A, 231A의 펄스 전류 레이저 드라이버를 갖춘 EPC9179, EPC9181, EPC9180 등 3종의 평가 보드를 출시하고, EPC의 AEC-Q101 인증 GaN FET를 선보였다. 이러한 EPC2252, EPC2204A, EPC2218A 등의 FET는 이전 세대 제품보다 30% 더 작고, 보다 비용 효율적이다. 장거리 및 단거리 자동차 라이다(LiDAR) 시스템을 위해 설계된 이 보드들은 다양한 입출력 옵션을 갖추고 있어 보다 신속하게 솔루션을 평가할 수 있다.

모든 보드는 피크 전류와 펄스 폭만 다를 뿐 동일한 기능을 갖추고 있다. 이 보드들은 공진 방전 전력 스테이지를 활용하며, LMG1020 게이트 드라이버로 구동되는 접지 레퍼런스 GaN FET를 이용한다. GaN FET의 초고속 스위칭은 부하의 부유 인덕턴스를 통해 충전된 커패시터를 빠르게 방전시켜 나노초 내에 수십에서 수백 암페어의 피크 전류를 방전할 수 있다. PCB는 전력 루프와 공통소스 인덕턴스를 최소화하고, 레이저 다이오드 또는 대체 부하에 유연하게 장착할 수 있도록 설계되었다. 또한 모든 보드는 사용 편의성을 높이기 위해 다양한 레이저 다이오드 또는 다른 부하를 수용할 수 있도록 다양한 풋프린트를 갖춘 EPC9989 인터포저 PCB가 함께 제공된다. 따라서 고객들은 GaN 솔루션을 평가하는데 필요한 요구사항에 따라 선택이 가능하다.

EPC9179/81/80 보드는 3.3V 로직 또는 LVDS와 같은 차동 로직 신호에서 트리거되도록 설계되었다. 단일 종단 입력의 경우, 간단한 수정만으로 2.5V 또는 1.8V의 낮은 입력 전압으로 동작할 수 있다. 자동차 라이다 시스템을 설계하는 것은 상당히 복잡한 작업이며, 신뢰할 수 있는 솔루션을 찾는 것도 간단하지 않다. 이러한 평가 보드는 다른 반도체 솔루션보다 더 빠른 스위칭과 더 높은 펄스 전류를 제공하는 강력한 GaN 기반 라이다 드라이버를 간단하게 평가할 수 있도록 만들어졌다. EPC는 전체 회로도와 BOM(Bill of Materials), PCB 레이아웃 파일 및 빠른 시작 가이드 등의 기술적 세부정보를 자사 웹사이트에서 제공하고 있다.

EPC 공동 설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “평가를 간소화하고, 탁월한 스위칭 성능으로 출시시간을 단축할 수 있는 최신 AEC 인증 제품에 기반한 비용 효율적인 보드를 통해 증가하는 자동차 라이다 시스템에 대한 수요를 충족시킬 수 있다.”고 밝혔다.

가격 및 공급

EPC2252, EPC2204A, EPC2218A GaN FET의 가격은 1천개 기준 각각 0.85달러, 1.37달러, 2.71달러이다. EPC9179/EPC9181/EPC9180 개발 보드의 가격은 각각 393.9 달러, 454.5달러, 424.2달러이다. 모든 평가 보드 및 GaN FET는 디지키(DigiKey) https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc에서 즉시 구매할 수 있다.

실리콘 MOSFET을 GaN 솔루션으로 대체하고자 하는 설계자는 EPC GaN 파워 벤치(Power Bench)의 교차 레퍼런스 툴을 이용하여 고유한 동작 조건에 따라 제안된 대체 제품을 찾을 수 있다. 교차 레퍼런스 툴은 다음 링크에서 확인할 수 있다: https://epc-co.com/epc/DesignSupport/GaNPowerBench/CrossReferenceSearch.aspx

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.