EPC GaN IC, 전기 모빌리티와 로보틱스 및 드론을 위한 모터 드라이브의 크기 축소... | 반도체네트워크

죄송합니다. 더 이상 지원되지 않는 웹 브라우저입니다.

반도체네트워크의 다양한 최신 기능을 사용하려면 이를 완전히 지원하는 최신 브라우저로 업그레이드 하셔야 합니다.
아래의 링크에서 브라우저를 업그레이드 하시기 바랍니다.

Internet Explorer 다운로드 | Chrome 다운로드

EPC GaN IC, 전기 모빌리티와 로보틱스 및 드론을 위한 모터 드라이브의 크기 축소 및 출시시간 단축



<a href='https://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards/EPC9176.aspx' target='_blank'>EPC9176</a>_PR-image_KR.jpg

GaN 기반 인버터 레퍼런스 디자인인 EPC9176은 모터 드라이브 시스템의 성능과 범위, 정밀도 및 토크를 향상시키는 동시에 설계를 간소화한다. 이 인버터는 매우 작은 크기로 모터 하우징에 쉽게 통합할 수 있어 가장 낮은 EMI와 최고의 밀도 및 초경량의 무게를 구현할 수 있다. 

EPC는 게이트 드라이버 기능을 내장한 EPC23102 ePower™ 스테이지 GaN IC와 평균 5.2mΩ의 RDS(on)을 지원하는 2개의 GaN FET를 이용해 3상 BLDC 모터 드라이브 인버터인 EPC9176을 출시했다고 밝혔다. EPC9176은 20V ~ 80V에 이르는 입력 공급 전압 범위에서 동작하며, 최대 28Apk(20ARMS)를 제공할 수 있다. 이 솔루션은 이러한 전압 범위와 전력 레벨을 통해 전기 자전거, 전기 스쿠터, 전동공구, 드론, 로봇, DC 서보, 의료용 로봇 및 공장 자동화 등에 사용되는 36V – 80V 입력의 다양한 3상 BLDC 모터 드라이브 애플리케이션에 매우 적합하다. 

통합 GaN-on-Si(GaN-on-Silicon)인 EPC23102 디바이스를 이용해 설계 작업에 필요한 요건을 대폭 간소화함으로써 제품의 출시시간을 단축하고, 더 작은 풋프린트로 더 높은 성능을 제공한다. EPC23102는 100V 정격의 전력 스테이지 디바이스로, 하프 브리지 FET와 드라이버, 레벨 시프터 및 동기식 부트스트랩 충전 등을 통합하고 있으며, 비활성화 모드 및 5V 바이어스에서 낮은 대기 전류를 위한 활성화 핀을 갖추고 있다. 

EPC9176은 설계 주기를 단축하고, 신속하게 개발이 가능하도록 다양한 제조업체의 기존 리소스와 호환되는 여러 컨트롤러 세트를 지원한다. EPC는 이 인버터 레퍼런스 디자인을 이용해 가장 보편적으로 사용되는 모터를 구동할 수 있도록 인터페이스 보드(EPC9147X)를 제공한다. EPC9176은 게이트 드라이버와 하우스키핑 전원공급을 위한 레귤레이션 보조 전원 레일, 전압 및 온도 감지, 정확한 전류 감지 및 보호 기능을 비롯해 완벽한 모터 드라이브 인버터를 지원하는데 필요한 모든 중요 기능 회로를 포함하고 있다. 

EPC의 알렉스 리도우(Alex Lidow) CEO는 “설계자들은 GaN IC를 이용하여 다양한 전기 모빌리티 및 로봇 애플리케이션을 위한 더 가볍고, 효율적인 배터리 기반 모터 드라이브를 구현할 수 있다.”며, “GaN은 EMI를 개선하고, EMI 필터링 및 커패시터 수를 줄이는 것은 물론, 전해 커패시터와 입력 필터 인덕터를 제거함으로써 더 작고, 더 가볍고, 더 낮은 소음은 물론, 더 뛰어난 토크와 범위 및 정밀도를 갖춘 모터 시스템을 만들 수 있다.”고 밝혔다. 

가격 및 공급

EPC9176  레퍼런드 디자인 보드의 가격은 900 달러이며, 즉시 구매할 수 있다. 실리콘 MOSFET을 GaN 솔루션으로 대체하고자 하는 설계자는 EPC GaN 파워 벤치(Power Bench)의 교차 레퍼런스 툴을 이용하여 고유한 동작 조건에 따라 제안된 대체 제품을 찾을 수 있다. 교차 레퍼런스 툴은 다음 링크에서 확인할 수 있다: 







EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.
leekh@seminet.co.kr
(끝)
<저작권자(c) 반도체네트워크, 무단 전재-재배포 금지>

X


PDF 다운로드

개인정보보호법 제15조에 의한 수집/이용 동의 규정과 관련하여 아래와 같이 PDF 다운로드를 위한 개인정보 수집 및 이용에 동의하십니까? 동의를 거부할 수 있으며, 동의 거부 시 다운로드 하실 수 없습니다.

이메일을 입력하면,
(1) 신규참여자 : 성명/전화번호/회사명/분야를 입력할 수 있는 입력란이 나타납니다.
(2) 기참여자 : 이메일 입력만으로 다운로드가 가능합니다.

×

회원 정보 수정