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EPC, 전력밀도를 향상시키고, 설계를 간소화하는 35A GaN ePower™ 스테이지 IC

EPC(Efficient Power Conversion)는 1MHz에서 동작하고, 최대 35A를 제공하는 완벽한 GaN 하프-브리지 전력단을 통합한 최신 ePower™ 스테이지 IC(Stage IC)를 출시했다. 이 제품은 DC-DC 변환, 모터 드라이브 및 클래스-D 오디오 증폭기를 비롯해 높은 전력밀도를 필요로 하는 애플리케이션에 더 높은 성능과 더 작은 크기의 솔루션을 제공한다.

EPC는 고밀도 컴퓨팅 애플리케이션을 비롯해 전기 모빌리티와 로보틱스 및 드론을 위한 48V BLDC 모터 드라이브에 사용되는 48V DC-DC 변환을 위해 설계된 100V, 35A IC를 출시했다고 밝혔다. 

EPC23102 eGaN IC는 최대 100V의 내전압 성능을 갖추고 있으며, 최대 35A의 부하 전류를 제공하는 동시에, 1MHz 이상의 뛰어난 스위칭 속도로 동작한다. 

• EPC 독보적인 GaN IC 기술을 적용한 EPC23102 IC는 하프 브리지 전력 스테이지로 구성된 6.6mOhm RDS(on)의 하이 사이드 및 로우 사이드 FET를 제어하는 게이트 드라이브 버퍼 회로를 비롯해 통합 입력 로직 인터페이스와 레벨 시프팅 및 부트스트랩 충전 기능을 갖추고 있다. 

• EPC23102는 풋프린트가 3.5mm x 5mm에 불과한 열 성능이 향상된 QFN 패키지로 제공되며, 매우 작은 솔루션 크기로 가장 높은 전력밀도의 애플리케이션을 지원한다. 

EPC23102는 48V-12V 벅 컨버터로 동작하는 경우, 1MHz 스위칭 주파수에서 96% 이상의 피크 효율과 35A의 정격 전류로 약 8 ~ 17A의 연속 부하 전류를 제공한다. 

EPC의 공동 설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “설계자들은 ePower 제품군을 통해 GaN 기술의 뛰어난 성능 향상의 이점을 쉽게 활용할 수 있다.”며, “IC는 설계, 레이아웃, 어셈블리가 용이하고, PCB 공간을 절감하고, 효율을 높일 수 있다. 설계자들은 이러한 디바이스를 사용하여 더 가볍고, 정밀한 BLDC 모터 드라이브와 더 높은 효율의 48V 입력 DC-DC 컨버터 및 더 높은 충실도의 클래스-D 오디오 시스템을 비롯해 다양한 산업용 및 컨수머 애플리케이션을 구현할 수 있다.”고 밝혔다.

EPC90147은 최대 100V의  디바이스 전압과 최대 35A의 출력 전류를 지원하는 하프 브리지 EPC23102 ePower 스테이지 IC를 갖춘 개발 보드이다. 이 보드는 EPC23102의 평가 프로세스를 간소화하기 위해 설계되었다. 50.8mm x 50.8mm 크기의 이 보드는 최적의 스위칭 성능을 위해 설계되었으며, 모든 구성요소를 포함하고 있어 손쉽게 평가할 수 있다. 

실리콘 MOSFET을 GaN 솔루션으로 대체하는데 관심이 있는 설계자는 EPC GaN 파워 벤치(Power Bench)의 교차 레퍼런스 툴을 이용하여 고유 동작 조건에 따라 제안된 대체 제품을 찾을 수 있다. 교차 레퍼런스 툴은 링크에서 확인할 수 있다: 

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.