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EPC, 최첨단 전력밀도를 제공하는 최소형 40V, 1.1mΩ FET 출시

EPC는 공간이 제한된 고성능 애플리케이션을 위해 실리콘 MOSFET 보다 훨씬 작고, 효율적인 40V, 1.1mΩ GaN FET 디바이스인 EPC2066을 출시했다.

인핸스먼트 모드 질화갈륨(eGaN®) 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 새로운 EPC2066(평균 0.8mΩ, 40V) GaN FET를 출시하고, 저전압 상용 GaN 트랜지스터 제품군을 확장했다. 

EPC2066은 손실이 적고, 크기가 작기 때문에 최신 서버 및 AI를 위한 높은 전력밀도의 40V – 60V에서 12V DC-DC 컨버터 2차측에 이상적인 스위치이다. 또한 전원공급장치 및 실버 박스 데이터센터 서버의 12V에 이르는 2차측 동기식 정류와 24V -32V의 고밀도 모터 드라이브 애플리케이션에도 매우 적합하다. 이 GaN FET는 고주파수 동작과 높은 효율 및 13.9mm2 의 초소형 풋프린트와 함께 최첨단 전력밀도를 지원한다.

EPC2066은 EPC의 이전 4세대 제품인 EPC2024와 풋프린트 호환이 가능하다. 5세대 제품의 향상된 면적 x RDS(on)이 적용된 EPC2066은 동일한 면적에서 온저항을 27%까지 줄일 수 있다. 

EPC의 공동설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC2066은 시장에 공급되는 다른 FET에 비해 온저항이 훨씬 더 작다.”며, “이 부품은 높은 전력밀도의 컴퓨팅 애플리케이션을 위해 최근 출시된 LLC DC-DC를 위한 EPC2071을 완벽하게 보완한다.”고 밝혔다.

EPC9174 레퍼런스 디자인 보드는 48V 입력에서 12V 출력 및 1.2kW를 지원하는  LLC 컨버터이다. 이 보드는 1차측 풀 브리지를 위한 EPC2071과 2차측 EPC2066을 갖추고 있다. 이 GaN FET는 소형의 22.9mm x 58.4mm x 10mm(전력밀도 1,472W/in3) 크기로 1MHz 스위칭 주파수와 1.2kW의 전력을 지원한다. 피크 효율은 550W에서 97.3%이며, 12V 에서 96.3%의 최대 부하 효율로 100A 출력을 제공한다. 

EPC2066 eGaN FET의 가격은 1Ku/reel 기준 개당 3.75달러이다. EPC9174 개발 보드의 가격은 개당 780달러이다. EPC2066 및 EPC9174 데모 보드는 디지키(Digi-Key) https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc에서 즉시 구매할 수 있다. 

실리콘 MOSFET을 GaN 솔루션으로 대체하는데 관심이 있는 설계자는 EPC GaN 파워 벤치(Power Bench)의 교차 레퍼런스 툴을 이용하여 고유 동작 조건에 따라 제안된 대체 제품을 찾을 수 있다. 교차 레퍼런스 툴은 아래 링크에서 확인할 수 있다: https://epc-co.com/epc/DesignSupport/GaNPowerBench/CrossReferenceSearch.aspx 

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.