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EPC, 웨이퍼 형태의 eGaN® 전력 디바이스 공급

EPC(Efficient Power Conversion)는 자사의 업계 최고 수준의 질화갈륨 기반 전력 디바이스를 전력 시스템에 쉽게 통합할 수 있도록 웨이퍼 형태로 공급한다.

EPC(Efficient Power Conversion)는 자사의 업계 최고 수준의 eGaN(Enhancement-mode Gallium Nitride on Silicon) 디바이스를 통합이 용이하도록 웨이퍼 형태로 공급한다고 밝혔다. EPC의 eGaN FET 및 IC는 전통적으로 솔더 바 또는 솔더 범프가 있는 칩-스케일(Chip-Scale) 디바이스로 판매되고 있다. 

칩-스케일 패키지는 전력 트랜지스터의 저항, 인덕턴스, 크기, 열, 임피던스, 비용을 줄여주는 보다 효율적인 패키징 형태이다. 이러한 eGaN 디바이스의 속성은 경쟁력있는 가격으로 전례없는 인-서킷 성능을 제공한다. 

이러한 디바이스의 웨이퍼-레벨 공급은 고객의 전원 시스템 서브 어셈블리에 보다 쉽게 통합하고, 디바이스의 인터커넥트 인덕턴스와 PCB 상에서 요구되는 간극 공간을 더 줄일 수 있도록 해준다. 이를 통해 효율 및 전력 밀도를 높이면서도 어셈블리 비용은 줄일 수 있다. 

EPC의 공동창립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “이번 결정은 파트너들의 의견을 수렴한 결과이다. 우리의 업계 최고 수준의 GaN 제품을 웨이퍼 형태로 제공함으로써 다양한 어셈블리 기술과 애플리케이션에 적용할 수 있게 되어 기쁘게 생각한다.”고 밝혔다. 

EPC는 솔더 범프가 없거나 있는 웨이퍼 형태의 eGaN 디바이스를 공급한다. 웨이퍼 박막화, 웨이퍼 후면 금속화, 후면 코팅 테이프 애플리케이션과 같은 추가 서비스도 지원된다. 보다 자세한 내용은 epc-co.com/epc/Products/WaferSales.aspx에서 확인할 수 있다. 

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.