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EPC, 48V DC-DC 변환을 위해 최상의 성능과 비용을 제공하는 100V eGaN® FET 제품군 확장

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EPC는 100V, 3.8mΩ의 EPC2053 eGaN® FET출시하고, EPC2045, EPC2052, EPC2051 과 함께 고성능 48V DC-DC 변환을 위한 보다 효율적이고, 작고, 저렴한 다양한 100V GaN 트랜지스터 제품군을 확장했다.

eGaN(Enhancement-mode Gallium Nitride on Silicon) 전력 FET 및 IC분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion)는 최신 질화갈륨 트랜지스터의 가격을 낮추면서도 성능은 크게 향상시킨 새로운 EPC2053(3.8mΩ, 100V) eGaN FET를 출시했다.

이 디바이스는 갈수록 증가하고 있는 48V 서버 및 48V 오토모티브, 54V 데이터 센터 애플리케이션의 요구에 부합할 수 있도록 EPC2045(7mΩ, 100V), EPC2052(13.5mΩ, 100V), EPC2051(25mΩ, 100V)과 함께 적절한 가격대와 광범위한 전력 레벨을 지원하는 포괄적인 100V 제품군을 확장한다. 

최상의 48V DC-DC 변환을 위한 100V eGaN FET 제품군

이 최신 세대의 100V GaN 디바이스는 48V 전력변환 애플리케이션에서 효율을 높이고, 크기를 줄이면서도 시스템 비용은 절감할 수 있도록 해준다.

* VGS = 5 V, ** 25°C, Tpulse = 300 µs

EPC의 공동 창업자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “48 VIN 변환 애플리케이션은 GaN으로부터 상당한 성능 상의 이점을 얻을 수 있으며, 이러한 애플리케이션은 AI(Artificial Intelligence), 클라우드 컴퓨팅, 첨단 고성능 모터 드라이브와 같은 여러 분야에서 빠르게 성장하고 있다.”고 말하고, “또한 자동차 시스템은 LiDAR, 레이더, 카메라, 초음파 센서를 기반으로 한 자율주행 차량을 지원하기 위해 12V 분산 시스템에서 48V 시스템으로 이동하고 있다. 우리의 새로운 100V 제품군은 모든 48V 토폴로지에서 GaN FET 및 IC로 최고의 효율과 최저 비용을 달성할 수 있음을 입증하였다.”고 밝혔다. 

48V = GaN

48 VIN 기반의 모든 토폴로지에서 GaN 디바이스를 사용하면 낮은 커패시턴스와 작은 크기 덕분에 최고 효율을 얻을 수 있다. 또한 최근 GaN 전력 트랜지스터의 가격이 인하되면서 동급 실리콘 기반 컨버터와 비교해 경쟁력있는 가격을 갖추고 있어 모든 첨단 솔루션에 GaN 사용 가능성이 높아지고 있다. 

이러한 최신 세대 100V eGaN FET의 뛰어난 성능을 보여주는 97%의 효율을 달성하는 2개의 새로운 레퍼런스 디자인과 5개의 데모 보드가 공급되고 있다. 

EPC9138 데모 보드는 100V EPC2053을 기반으로 한 400kHz 스위칭 주파수와 48 VIN, 15A 출력 전류를 제공하는 벅 컨버터이다. EPC9141 데모 보드는 100V EPC2045를 기반으로 한 400kHz 스위칭 주파수와 48 VIN, 10A 출력 전류를 제공하는 벅 컨버터이다.

EPC9138 및 EPC9141은 모두 전력 밀도 면에서 최고의 실리콘 기반 솔루션을 능가하며, 탁월한 성능과 작은 크기, 낮은 가격을 제공한다. 

또한 각각의 100V 제품군 디바이스에 대한 인서킷 성능 평가를 지원하는 표준 하프-브리지 개발 보드도 제공된다. EPC9093은 EPC2053을 지원하고, EPC9078 및 EPC9205는 EPC2045를, 그리고 EPC9092는 EPC2052를, EPC9091은 EPC2051을 지원한다.

가격 및 공급

각 제품과 관련 개발 보드 및 레퍼런스 디자인 보드의 가격은 아래 표에 명시되어 있다. 모든 제품 및 보드는 디지키(Digi-Key)를 통해 즉시 구매할 수 있다. 

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.