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EPC, 48V DC-DC 모터 드라이브 및 LiDAR 애플리케이션을 위한 100V eGaN® 전력 트랜지스터 출시

EPC2052는 전력 시스템 설계자들을 위해 매우 작은 칩 스케일 패키지 기반의 74A 펄스를 제공하는 100V, 13.5mΩ의 전력 트랜지스터이다. 이 차세대 eGaN FET는 48V~12V DC-DC 전력 컨버터에서 500kHz에서 97% 이상의 효율과 1MHz에서는 96% 이상의 효율을 달성했다. 

EPC(Efficient Power Conversion)는 고효율 전력변환을 위해 74A 펄스 출력 전류와 13.5mΩ의 최대 RDS(on)을 지원하는 초소형 2.25mm2 풋프린트의 100V GaN 트랜지스터인 EPC2052를 출시했다. 

더 높은 효율과 전력밀도를 요구하는 애플리케이션은 이제 더 이상 크기나 성능 중 하나를 선택할 필요가 없게 되었다. EPC2052는 크기가 1.50mm x 1.50mm (2.25mm2)에 불과하다. 소형 풋프린트에도 불구히고, 48V ~12V에서 동작하는 벅 컨버터인 EPC2052는 500kHz 스위칭에서 10A 출력으로 97% 이상의 효율을, 1MHz 스위칭에서는 10A 출력으로 96% 이상의 효율을 달성하며, 시스템 크기 또한 상당히 줄일 수 있다. 또한 EPC2052는 실리콘 MOSFET에 필적하는 낮은 가격으로 GaN FET의 성능을 제공한다. 이러한 성능 및 작은 크기, 저비용의 이점을 활용할 수 있는 애플리케이션으로는 컴퓨팅 및 텔레콤 시스템을 위한 48V 입력 전력 컨버터와 LiDAR, LED 조명, 클래스-D 오디오 등이 있다. 

EPC의 알렉스 리도우(Alex Lidow) CEO는 “고주파수에서 효율적으로 동작하는 eGaN 기반 전력 디바이스의 성능은 실리콘과의 성능 및 비용 격차를 넓히고 있다. 100V EPC2052는 가장 근접한 MOSFET에 비해 크기가 훨씬 작은데다, 고주파수 동작을 통해 설계자들이 공간을 더욱 줄일 수 있도록 해준다.”고 밝혔다. 

개발 보드

EPC9092 개발 보드는 100V 최대 디바이스 전압의 하프 브리지로, EPC2052와 TI(Texas Instruments)의 LMG1205 게이트 드라이버를 갖추고 있다. 이 보드는 50.8mm x 50.8mm 크기로 최적의 스위칭 성능에 적합하도록 설계되었으며, 100V EPC2052 eGaN FET를 쉽게 평가할 수 있도록 모든 주요 부품을 포함하고 있다.

가격 및 공급

EPC2052 eGaN FET는 1천개 기준 0.68달러, 10만개 기준 0.54달러이며, EPC9092 개발 보드는 118.75달러이다.

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.