제품특징: LTM4632

• 1cm²(단면 PCB) 또는 0.5cm² (양면 PCB) 크기의 통합형 DDR/QDR4 메모리 전력 솔루션
• 3A VDDQ + 3A VTT 또는 듀얼 위상 단일 6A VTT
• 폭넓은 입력 전압 범위: 3.6V (V_IN 이 INTV_CC를 이용할 경우)~15V
• 0.6V~2.5V 출력 전압 범위
• ±1.5%, ±10mA 버퍼형VTTR = VDDQ/2 출력
• 외부 주파수 동기화
• 높이가 낮은 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 패키지

제품 설명

LTC는 신형 QDR4와 구형 DDR SRAM(VDDQ, VTT, VTTR 또는 VREF)의 3개의 전압 레일 모두에 전력을 공급할 수 있는 트리플 출력 µModule (파워 모듈) 레귤레이터(제품명: LTM4632)를 출시했다고 발표했다. 소형 경량의 높이가 낮은 LGA 패키지(6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)로 제공되는 LTM4632는 PCB 후면에 솔더 될 수 있다. 외부에 저항 1개와 커패시터 3개만을 필요로 하여 이 제품은 필요한 회로면적이 0.5cm² (양면) 또는 1cm² (단면)에 불과하다.

LTM4632는 3A VDDQ와 ±3A VTT (=1/2*VDDQ)를 제공할 수 있으며, 병렬로 구성시, 대용량 메모리 뱅크를 위해 레일 당 최대 6A를 제공할 수 있다. 6A 이상의 VDDQ 전류 공급을 위해, LTM4632는 SRAM의 대용량 어레이에 적합하도록 18A 와 36A VDDQ 사이에서 공급되는 LTM4630으로 구성될 수 있다. VDDQ를 이미 이용할 수 있다면, LTM4632는 최대 6A까지 2개의 위상으로 단일 VTT 출력을 공급할 수 있도록 구성될 수 있다.

LTM4632는 3.3V의 낮은 입력 전원뿐 만 아니라, 표준형 5V 및 12V입력(최대 15V)으로 동작할 수 있다. 각각의 2개 출력 전압(VDDQ 및VTT)은 0.6V~2.5V 범위에서 동작한다. 세 번째 출력은 SRAM의 VTTR을 위한 저잡음 10mA으로 버퍼된 출력이다. 이 제품은 PCIe, 클라우드 기반 시스템, RAID, 비디오 프로세싱, SRAM(DDR/DDR-II/DDR-III/DDR4/QDR/QDR-II/QDR-II+, QDR4)를 사용한 네트워크에 사용할 수 있다.

LTM4632는 소형, 높이가 낮은 패키지에 트리플 출력 DC/DC 레귤레이터 1개, 2개 회로 디바이더, 전력 스위치, 인덕터, 지원 부품을 통합했다. LTM4632는 -40°C~125°C 범위에서 동작을 보장한다. 1,000개 수량 기준으로 E등급 제품은 7.35달러로 책정되었으며 I등급은 8.09달러로 책정되었다.

일반적인 설계 예

애플리케이션
• DDR 메모리 전원 공급 장치
• 범용 PoL 변환
• 통신, 네트워킹 및 산업 설비