Renesas Electronics, 전력 효율성을 개선한 3상 스마트 게이트 드라이버 | 반도체네트워크

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Renesas Electronics, 전력 효율성을 개선한 3상 스마트 게이트 드라이버



RAA227063.jpg

RAA227063 3상 스마트 게이트 드라이버는 자체 정렬된 데드 타임 생성기와 슬루율 제어를 통합하여 전력 효율성을 개선한다. RAA227063에는 최대 3개의 N-채널 MOSFET 브리지를 구동하는 3개의 하프 브리지 스마트 게이트 드라이버가 있다. 이 장치는 4.5~60V의 브리지 전압을 지원한다. 각 게이트 드라이버는 프로그래밍 가능한 드라이브 강도 제어를 통해 최대 1A 소스 및 2A 싱크 피크 드라이브 전류를 지원한다.

주요 특징
• 폭넓은 VIN 범위: 4.5~60V(최대 65V 절대값)
  ∘ 스위칭 주파수 범위: 최대 200kHz
  ∘ BLDC 애플리케이션을 위한 3상 드라이브
• 프로그래밍 가능 드라이브 강도로 피크 1A/ 2A 소스/싱크 전류
• 하드웨어 인터페이스를 통해 8단계 드라이브 강도 및 SPI 인터페이스를 통해 16단계 드라이브 강도 지원 가능
  ∘ 적응형 및 조절 가능한 데드 타임
  ∘ 완전 통합형 전원 공급 아키텍처
• 절전 모드에서 낮은 IQ를 허용하는 VCC LDO 2개
• 500mA 벅-부스트 스위칭 조정기가 구동 전압 생성(5~15V 조절 가능)
• 200mA MCU 전원 공급용 조절 가능 출력 LDO
  ∘ 유연한 구성
• 3상 HI/LI 모드 및 3상 PWM 모드
• 하프 브리지, 풀 브리지 구성 지원
  ∘ 전류 감지 증폭기 3개
• 4가지 레벨로 감지도 설정
• 전원을 켤 때 및 즉시 DC 오프셋 보정 지원
• 접지 측 션트 감지 또는 로우측 MOSFET RDS(ON) 감지 지원
  ∘ BLDC 센서리스 작동을 위한 백-EMF 감지
  ∘ 하드웨어 인터페이스 및 SPI 인터페이스 기능
  ∘ 광범위한 오류 보호 기능 (VCC UV, VM/VBRIDGE UV, 충전 펌프 UV, MOSFET VDS OCP, 전류 감지 OCP, 과열 경고/셧다운, 벅 부스트 전류 제한, 벅 부스트 OCP, 벅 부스트 UV/OV)
  ∘ 추가 외부 회로에 의한 역 배터리 보호 지원
  ∘ 7mm x 7mm 48 리드 QFN 패키지(0.5mm 피치)





Renesas Electronics 소개
leekh@seminet.co.kr
(끝)
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