Infineon, 짧은 리드 타임 및 장기간 안정적인 공급을 보장하는 MOSFET 및 다이오드
Infineon의 CoolSiC 쇼트키 다이오드는 상대적으로 높은 온스테이트 저항과 누설 전류를 제공한다. SiC 소재의 쇼트키 다이오드는 훨씬 더 높은 항복 전압에 도달할 수 있다. 제품 포트폴리오는 CoolSiC 쇼트키 다이오드, CoolSiC 하이브리드 모델, CoolSiC MOSFET 모듈 및 이산 제품, 실리콘 카바이드 장치 구동을 위한 EiceDRIVER™ 게이트 구동기 IC로 구성된다.
Infineon SiC 쇼트키 제품 포트폴리오에는 600V 및 650V ~ 1200V 쇼트키 다이오드가 포함된다. 고속 실리콘 기반 스위치와 CoolSiC 쇼트키 다이오드의 결합을 하이브리드 솔루션이라고도 한다. 최근 몇 년 동안 Infineon은 수백만 개의 하이브리드 모듈을 제조하였으며 태양광 및 UPS와 같은 다양한 고객 제품에 설치해왔다. CoolSiC MOSFET은 새로운 기준이 되는 최첨단 트렌치 개념을 기반으로 구축되어 응용 제품의 낮은 손실과 높은 작동 신뢰성을 제공한다.
주요 특징
• 뛰어난 게이트 산화물 신뢰성
• 안정적이고 견고한 바디 다이오드
• 뛰어난 소프트 스위칭 토폴로지(예: EV 충전)
∘ 가장 낮은 스위칭 손실 및 간편한 설계
∘ 0V 턴오프 적용
• 뛰어난 하드 스위칭 토폴로지(예: 서보 드라이브)
∘ 빠른 스위칭 속도에서 낮은 스위칭 손실
∘ 기생 턴온 효과에 대한 견고성으로 인한 간편한 설계
∘ 단락 정격 3µs
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