죄송합니다. 더 이상 지원되지 않는 웹 브라우저입니다.

인피니언, 고성능 시스템을 위한 차세대 실리콘 카바이드 기술 CoolSiC™ MOSFET G2 출시

글/반도체네트워크 편집부 2024.03.11

인피니언 테크놀로지스는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC™ MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로이다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다.

CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 따라서 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10퍼센트까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다.

고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2를 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합하여 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 

인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 하여 탈탄소화에 기여한다. 

Infineon 소개
독일 노이비베르크(Neubiberg)에 소재한 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies AG)는 에너지 효율, 모빌리티, 보안 등 현대 사회의 세 가지 핵심 과제에 대한 반도체와 시스템 솔루션을 제공한다. 9월30일 마감된 2013 회계연도의 매출액은 38억 4천만 유로이며, 전 세계에 약 26,700명의 직원을 두고 있다. 인피니언은 미국 캘리포니아의 밀피타스, 아시아 태평양의 싱가포르, 일본의 도쿄를 중심으로 전 세계에 지사를 운영 중이다. 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier(거래 심볼: IFNNY)에 등록되어 있다.