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Infineon Technologies, CoolSiC™ 자동차용 750V G1 SiC 트렌치 MOSFET

글/반도체네트워크 편집부 2024.03.30

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G1 SiC 트렌치 MOSFET은 EV 제조업체가 효율성, 전력 밀도 및 신뢰성이 향상된 11kW 및 22kW 양방향 보드 내장형 충전기를 제작할 수 있도록 지원합니다. 이 장치는 Infineon의 독점 기술을 사용하여 고온(Tj,max +175°C)에서 안정적으로 작동합니다. 동일한 다이 크기로 동급 최고의 열 임피던스를 제공하는 XT 다이 부착 기술.

CoolSiC 750V G1 기술은 특히 우주 방사선에 대해 매우 높은 견고성을 제공며 500V 이상의 버스 전압에 완벽합니다. 스퓨리어스 턴온에 대한 뛰어난 내성 덕분에 이 장치는 0V VGS 오프스테이지 전압(유니폴라 게이트 드라이버)으로 안전하게 구동할 수 있어 시스템 복잡성, PCB 면적 점유 및 BOM 수를 줄일 수 있습니다. 넓은 게이트 소스 정격 전압(-5V ~ 23V, VGS 정적)은 설계 유연성 증대를 위해 바이폴라 구동과의 호환성을 보장합니다.

이 CoolSiC™ 자동차용 MOSFET 750V G1 제품군은 8mΩ ~ 140mΩ RDS(on) (표준 +25°C)을 갖춘 매우 세분화된 포트폴리오를 갖추고 있으며 7핀 D2PAK 및 QDPAK TSC(상단 냉각) 패키지로 제공됩니다. JEDEC에서 출시한 QDPAK TSC 패키지는 기판 열 디커플링을 통해 PCB 공간 사용을 극대화하고 전력 밀도를 두 배로 늘리며 열 관리를 향상시킵니다. 상단 냉각 패키지는 냉각 인프라 설계에 드는 작업을 크게 감소시키고 최고의 전력 밀도를 구현하는 핵심입니다.

주요특징

• 매우 견고한 750V 기술

• 하드 스위칭 하프 브리지에서 우수한 효율을 위한 동급 최고의 RDS(on) x Qfr

• RDS(on) × Qoss 및 RDS(on) × Qg 에 대한 우수한 수치를 통해 더 높은 스위칭 주파수 가능

• 낮은 Crss/Ciss 및 높은 Vgsth

• 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과

• Infineon 다이 부착 기술

• 최첨단 상단 냉각식 패키지

• 향상된 신뢰도

• 500V 이상의 버스 전압에 견딤

• 기생 회전에 대한 견고성

• 유니폴라 구동

• 동급 최고 수준의 열 발산

• RoHS 규격 준수

Infineon 소개
독일 노이비베르크(Neubiberg)에 소재한 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies AG)는 에너지 효율, 모빌리티, 보안 등 현대 사회의 세 가지 핵심 과제에 대한 반도체와 시스템 솔루션을 제공한다. 9월30일 마감된 2013 회계연도의 매출액은 38억 4천만 유로이며, 전 세계에 약 26,700명의 직원을 두고 있다. 인피니언은 미국 캘리포니아의 밀피타스, 아시아 태평양의 싱가포르, 일본의 도쿄를 중심으로 전 세계에 지사를 운영 중이다. 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier(거래 심볼: IFNNY)에 등록되어 있다.