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EPC21601 eToF™ 레이저 드라이버 IC, 아스펜코어 WEAA의 전력 반도체/드라이버 IC 부문에서 올해의 제품상 수상

eGaN®(enhancement-mode Gallium Nitride on Silicon) 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 자사의 EPC21601 eToF™ 레이저 드라이버 IC가 권위있는 WEAA(World Electronics Achievement Awards) 전력 반도체/드라이버 IC 부문에서 2021년 올해의 제품상을 수상했다고 밝혔다. 

WEAA 수상은 전세계 전자산업의 혁신과 발전에 탁월한 공헌을 한 제품에 수여된다. 아스펜코어의 글로벌 수석 산업 분석가들과 전세계 온라인 사용자들로 구성된 위원회가 수상자를 선정한다. 아스펜코어는 EETimes와 EDN을 비롯한 여러 미디어를 보유하고 있는 세계적인 전자산업 미디어 및 SaaS 그룹이다. 2021년 11월 3일, 중국 선전에서 개최된 2021 아스펜코어 글로벌 첨단 경영자 포럼(Global High-Tech Executive Forum)에서 글로벌 CEO 서밋 및 WEAA 시상식이 진행되었다. 

EPC의 공동창업자겸 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow) 박사는 “EPC21601 eToF 레이저 드라이버 IC가 권위있는 WEAA의 제품상을 수상하게 되어 EPC 팀을 대표하여 아스펜코어 팀과 모든 선정위원들에게 감사를 드린다. 최근 GaN IC 기술이 발전하면서 ToF(Time-of-Flight) 라이다 시스템의 설계 방식이 변화하고 있다. 단일 칩에 eGaN FET와 드라이버를 통합하여 매우 강력하고 빠른 IC를 구현했으며, 이를 통해 ToF 라이다 시스템의 비용과 크기를 줄임으로써 보다 폭넓게 컨수머 애플리케이션에 채택되고 있다.”고 밝혔다. 

EPC21601 eToF 레이저 드라이버 IC는 40V, 10A FET와 통합 게이트 드라이버, 3.3V 로직 레벨 입력을 단일 칩에 통합한 로보틱스와 감시 시스템, 드론, 자율주행차, 진공 청소기 등에 사용되는 ToF 라이다 시스템을 위한 솔루션이다. EPC21601은 100MHz를 초과하는 매우 높은 주파수와 2ns 미만의 초단 펄스를 통해 최대 10A의 레이저 구동 전류를 변조할 수 있다. 턴온 및 턴오프 시간은 각각 410ps와 320ps이다. 

EPC21601은 EPC의 독보적인 GaN IC 기술을 이용해 eGaN FET를 통합한 단일 칩 드라이버이며, 크기가 1.5mm x 1.0mm에 불과한 칩스케일 BGA 폼팩터로 제공된다. 이러한 소형 폼팩터에 여러 기능을 통합함으로써 전체 솔루션의 PCB 공간을 동급의 다중 칩 디스크리트 구현에 비해 36%까지 절감할 수 있다. 

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.