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도시바, USB 기기 및 배터리 팩 보호에 적합한 30V N-채널 공통 드레인 MOSFET 출시

글/반도체네트워크 편집부 2023.11.12

도시바가 USB 기기와 배터리 팩 보호에 적합한 낮은 온저항의 30V N-채널 공통 드레인 MOSFET ‘SSM10N961L’을 출시했다. 출하는 오늘부터 시작된다. 지금까지 출시된 도시바의 N-채널 공통 드레인 MOSFET 라인업은 주로 스마트폰의 리튬 이온 배터리 팩을 보호하는 데 사용되는 12V 제품에 초점을 맞춰왔다. 그런데 이번 30V 제품 출시로 USB 충전 기기의 전원 라인 부하 스위칭, 노트북 PC 및 태블릿의 리튬 이온 배터리 팩 보호 등 12V 이상의 전압이 필요한 애플리케이션의 선택지가 더 넓어졌다.

낮은 드레인-소스 온 저항(RDS(ON))의 양방향 스위치를 구현하려면 3.3×3.3mm 또는 2×2mm 중 하나의 크기에 RDS(ON)이 낮은 2개의 MOSFET이 필요했다. 도시바의 신제품은 새로운 소형의 얇은 패키지 TCSPAG-341501(3.37mm×1.47mm(대푯값), t=0.11mm(대푯값))을 사용하며, 단일 패키지 공통 드레인 구성에 9.9mΩ(대푯값)의 낮은 소스-소스 온 저항(RSS(ON))이 특징이다.

높은 전력 공급이 필요한 기기를 위해 15W(5V/3A)에서 최대 240W(48V/5A) 범위의 전원 공급을 지원하는 USB 전력 공급(USB PD)이 개발되었다. USB PD는 전원 공급 측과 받는 측을 맞바꾸는 롤스왑(role swap) 기능을 지정하고 있으며, 양방향 전원 공급을 지원하는 USB 충전 기기가 있어야만 양쪽 모두 전원을 공급하고 받을 수 있다. 신제품은 양방향 전원 공급을 지원하고 장착 면적이 작은 N 채널 공동 드레인 MOSFET이다.

이 제품을 도시바의 TCK42xG 시리즈 드라이버 IC와 결합하면 백플로우(backflow) 방지 기능이 있는 로드 스위칭 회로나 단절전 접속(Make-Before-Break, MBB)과 접속전 단절(Break-Before-Make, BBM) 간에 작동을 전환할 수 있는 전력 멀티플렉서 회로가 형성된다. 도시바는 이 제품 조합을 기반으로 하는 전력 멀티플렉서 회로(공통 드레인 MOSFET 사용)의 레퍼런스 디자인을 공개했다. 레퍼런스 디자인을 사용하면 제품 설계 및 개발 시간을 단축하는 데 도움이 된다.

도시바는 설계 유연성을 높이기 위해 제품 라인업을 지속적으로 확장하고 특성을 개선할 예정이다.

leekh@seminet.co.kr
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