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Alliance, 빠른 클록 속도 및 높은 데이터를 제공하는 SDRAM 메모리

글/반도체네트워크 편집부 2024.05.09

Alliance Memory는 200볼 FBGA 패키지에 저전력 등급과 증가된 클럭 속도 및 데이터 속도를 결합한 새로운 16Gb 및 32Gb LPDDR4X 장치를 갖춘 고속 CMOS 모바일 저전력 SDRAM의 제품을 확장했다고 발표했다. 16Gb AS4C512M32MD4V-046BIN 및 32Gb AS4C1G32MD4V-046BIN은 스마트폰, 스마트 스피커, 보안 감시 시스템 및 AI 및 5G 기술을 사용하는 기타 IoT 장치를 포함한 소비자, 상업 및 산업 시장을 위한 휴대용 전자 장치에서 더 높은 전력 효율성을 제공한다.

내장형 애플리케이션에서 고급 오디오 및 초고해상도 비디오를 위한 향상된 효율성을 제공하는 LPDDR4X SDRAM은 4.2Gbps의 매우 높은 데이터 전송 속도를 위해 2.133GHz의 높은 클럭 주파수를 제공한다. 32비트 버스 폭을 제공하는 이 장치는 -40°C ~ +95°C의 산업 온도 범위에서 작동한다.

AS4C512M32MD4V-046BIN 및 AS4C1G32MD4V-046BIN은 장치당 2개의 채널로 구성되며 개별 채널은 16비트의 8개 뱅크로 구성된다. 이 구성 요소는 완전 동기식 작동, 프로그래밍 가능한 읽기 및 쓰기 버스트 길이 16, 32, 즉시 실행 및 구성 가능한 드라이브 강도를 제공한다. 온칩 온도 센서는 자체 새로 고침 속도를 제어한다.

Alliance Memory의 LPDDR4X SDRAM은 고대역폭, 고성능 메모리 시스템 애플리케이션에서 수많은 유사 솔루션에 대한 신뢰할 수 있는 드롭인 핀 포 핀 호환 대체 기능을 제공하여 비용이 많이 드는 재설계 및 부품 재인정이 필요하지 않다.

새로운 LPDDR4X SDRAM의 샘플과 생산 수량은 현재 이용 가능하며 리드 타임은 12주이다.

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