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EPC, GaN 트랜지스터, 까다로운 우주 애플리케이션을 위해 최신 방사선 경화 기술 제공

EPC(Efficient Power Conversion)는 100V 및 200V 정격의 두 종의 새로운 디바이스로 방사선 경화(Rad-Hard) 질화갈륨(GaN) 제품군을 확장하고, 매우 중요한 우주 임무와 기타 고신뢰성 애플리케이션을 처리할 수 있는 전력 변환 솔루션을 제공한다.

EPC는 두 종의 새로운 방사선 경화(Radiation-Hardened) GaN FET를 출시한다고 밝혔다. EPC7020은 소형 12mm2 풋프린트의 200V, 11mΩ, 170APulsed, 방사선 경화 GaN FET이다. EPC7003은 초소형 1.87mm2 풋프린트의 100V, 30mΩ, 42APulsed, 방사선 경화 GaN FET이다. 두 디바이스 모두 1,000K Rad(Si) 이상의 총 방사선 선량(Total Dose Radiation) 등급과 최대 100%의 정격 항복 전압 VDS에서 83.7MeV/mg/cm2의 LET에 대한 SEE 내성을 갖추고 있다. 이 새로운 디바이스는 다른 방사선 경화 제품군인 EPC7019, EPC7014, EPC7004, EPC7018, EPC7007과 함께 상업용 eGaN® FET 및 IC 제품군과 동일한 칩 스케일 패키지로 제공된다. 패키지 버전은 EPC Space에서 확인할 수 있다. 

eGaN FET 및 IC는 일반적으로 고신뢰성 및 우주 애플리케이션에 사용되는 방사선 경화 실리콘 디바이스보다 크기는 더 작고, 전기적 동작 성능은 40배 더 뛰어나며, 비용은 더 저렴하다. 또한 GaN 디바이스는 실리콘 솔루션보다 더 높은 총 방사선 레벨과 SEE LET 레벨을 지원한다. 

이러한 디바이스의 뛰어난 성능과 빠른 구축의 이점을 활용할 수 있는 애플리케이션으로는 LEO 및 GEO 궤도용 위성과 항공전자공학 및 우주 애플리케이션을 위한 이온 추진기와 DC-DC 전력 컨버터, 모터 드라이브, 라이다, 및 딥 프로브 등이 포함된다.

EPC의 공동창업자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “방사선 경화 제품군은 40V에서 200V 및 4A에서 530A까지 지원하며, 행성간 과학 탐사 임무 등의 우주 애플리케이션과 고고도 비행 및 기타 고신뢰성 군사 애플리케이션과 같은 혹독한 환경의 다양한 애플리케이션을 지원할 수 있다.”고 밝혔다. 

EPC7020 및 EPC7003은 현재 엔지니어링 샘플을 이용할 수 있다. 

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.