와이드 밴드 갭: 차세대 전력 반도체 기술
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와이드 밴드 갭: 차세대 전력 반도체 기술

SiC(탄화 규소)는 실리콘보다 뛰어난 스위칭 성능과 높은 신뢰도를 갖춘, 완전히 새로운 소재입니다. 최고 효율과 빨라진 운용 주파수 외에도 전력 밀도 개선, EMI 감소, 크기 및 비용 감소 같은 이점도 제공합니다. ON Semiconductor가 생산하는 완벽한 SiC 포트폴리오를 확인해보세요.

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