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키옥시아-웨스턴디지털, 웨이퍼 본딩 기술의 획기적인 아키텍처 혁신 통해 새로운 3D 플래시 메모리 기술 발표

메모리 반도체 기업 키옥시아(Kioxia Corporation)와 스토리지 솔루션 기업 웨스턴디지털(Western Digital, www.westerndigital.com/ko-kr)은 양사의 최신 8세대 ‘BiCS 플래시(BiCS FLASHTM)’ 3D 플래시 메모리 기술에 대한 세부 정보를 발표했다. 고도화된 미세화 및 웨이퍼 본딩 기술이 적용된 새로운 3D 플래시 메모리는 뛰어난 용량, 성능, 신뢰성을 절감된 비용으로 제공하며 현재 다양한 분야에서 폭증하는 데이터에 대응하기 위한 니즈에 특화됐다.

키옥시아와 웨스턴디지털은 독보적인 공정과 아키텍처를 도입하면서 비용 절감을 이뤄냈으며 이를 통해 측면 미세화에서의 지속적인 발전을 이어갔다. 이와 같은 수직 및 측면 미세화의 균형은 작은 크기의 다이(die)와 적은 수의 단으로도 한층 높은 용량을 최적화된 비용에 제공할 수 있게끔 지원한다. 또한 양사는 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 최적화된 환경에서 개별적으로 제조한 후 결합해 향상된 비트 밀도와 빠른 낸드 입출력(I/O) 속도를 제공하는 획기적인 CBA(CMOS Direct Bonded to Array) 기술을 개발했다.

218단 3D 플래시는 4개의 플레인(plane)으로 이뤄진 1Tb 트리플 레벨 셀(TLC)과 쿼드 레벨 셀(QLC)을 활용하며 비트 밀도를 50% 이상 향상시키는 혁신적인 측면 축소 기술을 특징으로 한다. 이전 세대 대비 60% 향상된 3.2Gb/s 이상 고속 낸드 입출력과 20% 향상된 쓰기 성능 및 읽기 지연 시간(read latency)이 결합돼 개선된 전반적인 성능과 사용 편의성을 제공한다.

웨스턴디지털 알페르 일크바하르(Alper Ilkbahar) 기술 및 전략 부문 선임 부사장은 “새로운 3D 플래시 기술은 키옥시아와의 강력한 파트너십의 효과는 물론, 양사의 선도적인 혁신을 나타낸다고 생각한다”며, “양사는 하나의 공통된 R&D 로드맵과 지속적인 R&D 투자를 통해 이번 기술을 예정보다 일찍 제품화하고 높은 성능을 지원하는 비용 효율적인 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”고 말했다.

키옥시아의 마사키 모모도미(Masaki Momodomi) CTO는 “양사는 독보적인 엔지니어링 파트너십을 통해 업계 최고 비트 밀도[1]를 제공하는 8세대 ‘BiCS 플래시(BiCS FLASHTM)’를 선보일 수 있게 됐다”며, “일부 한정된 고객을 대상으로 키옥시아의 샘플 출하가 시작돼 기쁘게 생각한다. CBA 기술과 미세화 혁신을 적용하면서 3D 플래시 메모리 기술 포트폴리오를 스마트폰, IoT 장치 및 데이터센터를 비롯한 다양한 데이터 중심적인 애플리케이션에 사용할 수 있도록 발전시킬 수 있었다”고 말했다.

Western Digital 소개
웨스턴디지털은 데이터 이용 가능성을 활용해 데이터가 가지는 잠재력을 실현합니다. 플래시 및 HDD 사업은 물론, 메모리 분야의 고도화된 기술력을 바탕으로 웨스턴디지털은 전 세계에 변화를 가져올 수 있는 획기적인 혁신과 강력한 데이터 스토리지 솔루션을 제공합니다. 웨스턴디지털은 공격적인 온실가스 감축 목표를 세워 SBTi 승인을 받는 등 기후변화 대응 노력을 핵심 가치 중 하나로 삼고 있으며 그 중요성을 인지하고 있습니다. 웨스턴디지털의 기업 정보와 웨스턴디지털(Western Digital®), 샌디스크(SanDisk®), WD® 브랜드에 대한 자세한 정보는 공식 사이트(www.westerndigital.com)에서 확인 가능합니다.