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ROHM의 SiC 파워 디바이스, 중국 Tier1, UAES의 전기자동차용 온보드 차저에 채용

로옴(ROHM) 주식회사의 SiC 파워 디바이스(SiC MOSFET)가, 중국 종합 자동차기기 Tier1 메이커, United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. (이하, UAES)의 전기자동차용 온보드 차저(이하, OBC)에 채용되었다. 해당 OBC는 2020년 10월에 UAES로부터 자동차 메이커에 제공될 예정이다.

SiC 파워 디바이스는 IGBT*2 등의 Si (실리콘) 파워 디바이스에 비해 극적인 저손실화를 실현할 수 있는 반도체로서 전기자동차를 비롯하여, 사회 기반 시설, 환경 · 에너지, 산업기기 분야에서 채용이 추진되고 있다.

로옴은 2010년에 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 시작하는 등, SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서 세계 최첨단의 제품 개발을 추진해왔다. 또한, 자동차 분야에서는 2012년에 업계를 선두하여 오토모티브 대응 제품의 제공을 시작, 전기자동차의 급속 충전용 온보드 차저에서 높은 시장 점유율을 보유하고 있으며, 전기자동차의 모터 및 인버터에서의 채용도 가속화되고 있다.

이번에 로옴의 SiC MOSFET가 UAES의 OBC에 채용됨으로써, 기존의 OBC 대비 유닛으로는 1%의 고효율화 (효율 95.7% 달성, 기존보다 전력 손실을 약 20% 삭감)에 기여한다. 또한, 이러한 첨단 솔루션으로, UAES로부터 "2019년 최우수 기술 진보상"을 수상했다.

로옴은 앞으로도 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서 라인업을 강화함과 동시에, 디바이스 성능을 최대화시킬 수 있는 제어 IC 등 주변 디바이스 및 모듈화 기술을 조합하여, 차세대 자동차의 기술 혁신에 기여하는 파워 솔루션을 제공해 나갈 것이다.

SiC MOSFET 채용의 메리트

대전력(고전압×대전류) 영역에서 SiC MOSFET는 Si-IGBT 대비 「스위칭 손실 · 도통 손실*3이 적다」「온도 변화에 강하다」는 장점이 있다. 이러한 장점을 통해, 전기자동차의 온보드 차저 및 DC/DC 컨버터 등에 채용되는 경우, 전력 변환 시의 저손실화, 방열용 부품의 소형화, 고주파 동작에 의한 코일의 소형화 등을 실현하여, 어플리케이션의 고효율화 및 부품수 삭감 · 실장 면적 삭감에 기여할 수 있다.

<로옴의 SiC 파워 디바이스 개발 역사>

ROHM 소개
반도체 메이커 「ROHM (로옴)」의 사명은 창업 당시의 생산 품목인 저항기 (Resistor)의 첫 글자 「R」과 저항치 단위 Ω「ohm」을 조합한 것입니다. 「R」은 신뢰성 (Reliability)의 뜻도 내포하고 있으며, 이는 품질을 제일로 하는 로옴의 방침을 나타냅니다. 로옴은 창업 이래 「기업 목적」을 바탕으로, 양질의 상품 공급 및 제조 활동을 통해 문화의 진보 향상에 기여해 왔습니다. 경영 환경은 크게 변화하고 있지만, 이러한 로옴의 기본 개념은 변하지 않고 로옴의 DNA로서 계승되고 있습니다. 이러한 불변의 기업 목적을 다시금 인식함과 동시에, 새로운 사회 기반에서 로옴의 사명을 명확히 하기 위해 「Statement」와 「경영 비전」을 책정하였습니다. 앞으로도 로옴은 「일렉트로닉스 기술을 통해 사회의 다양한 과제를 해결하고, 미래를 위해 인류의 풍요로운 생활과 사회의 발전에 기여」하기 위해 노력할 것입니다.