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로옴, GaN 디바이스의 성능을 최대화시키는 초고속 게이트 드라이버 IC 개발

글/반도체네트워크 편집부 2023.09.24

최근 IoT 기기의 증가에 따라 수요가 확대되고 있는 서버 시스템 등에서, 전원부의 전력 변환 효율 향상이나 장치의 소형화가 중요한 사회적 과제로 대두되어, 파워 디바이스의 한차원 높은 진화가 요구되고 있다. 또한, 자동 운전뿐만 아니라 산업기기 및 사회 인프라 감시 용도 등에 채용되는 LiDAR※3의 경우, 인식 정밀도를 한층 더 향상시키기 위해 고속 펄스의 레이저 광 조사가 필요하다. 

이와 같은 어플리케이션에서는 고속 스위칭 디바이스의 사용이 필수이므로, 이를 가능하게 하는 GaN 디바이스의 성능을 최대화시키는 초고속 구동의 게이트 드라이버 IC를 개발했다. 한층 더 소형의 WLCSP※4 제품도 개발하여 소형화에 기여한다.

로옴(ROHM)은 초고속으로 GaN 디바이스를 구동하는 게이트 드라이버 IC BD2311NVX-LB를 개발했다. 

신제품은 나노초 (ns)의 게이트 구동 속도를 실현하여, GaN 디바이스를 고속으로 스위칭시킬 수 있다. 이러한 특성은 GaN 디바이스에 대한 충분한 이해를 바탕으로 게이트 드라이버 IC의 성능 향상을 추구함으로써 실현할 수 있었다. 최소 게이트 입력 펄스 폭 1.25ns의 고속 스위칭을 통해 어플리케이션의 소형화, 저전력화, 고성능화에 기여한다. 

또한, 독자적인 구동 방식을 채용함으로써, 기존에는 실현이 어려웠던 게이트 입력 파형의 오버슈트를 억제하는 기능도 탑재하여, 과전압 입력으로 인한 GaN 디바이스의 고장을 방지한다. 로옴의 EcoGaN™과 함께 구성하면, 세트 설계가 용이해짐과 동시에 어플리케이션의 신뢰성 향상에도 기여한다. 그리고, 어플리케이션의 다양한 요구에 대해서도 게이트 저항을 조정함으로써, 최적의 GaN 디바이스를 선정할 수 있다. 

신제품은 2023년 9월부터 양산을 개시했다. 

로옴은 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 EcoGaN™ 라인업으로 구비하여 제공함과 동시에, 이러한 GaN 디바이스의 성능을 최대화시키는 게이트 드라이버 IC를 조합한 파워 솔루션을 제공함으로써 지속 가능한 사회에 기여할 수 있도록 노력하고 있다. 

ROHM 소개
반도체 메이커 「ROHM (로옴)」의 사명은 창업 당시의 생산 품목인 저항기 (Resistor)의 첫 글자 「R」과 저항치 단위 Ω「ohm」을 조합한 것입니다. 「R」은 신뢰성 (Reliability)의 뜻도 내포하고 있으며, 이는 품질을 제일로 하는 로옴의 방침을 나타냅니다. 로옴은 창업 이래 「기업 목적」을 바탕으로, 양질의 상품 공급 및 제조 활동을 통해 문화의 진보 향상에 기여해 왔습니다. 경영 환경은 크게 변화하고 있지만, 이러한 로옴의 기본 개념은 변하지 않고 로옴의 DNA로서 계승되고 있습니다. 이러한 불변의 기업 목적을 다시금 인식함과 동시에, 새로운 사회 기반에서 로옴의 사명을 명확히 하기 위해 「Statement」와 「경영 비전」을 책정하였습니다. 앞으로도 로옴은 「일렉트로닉스 기술을 통해 사회의 다양한 과제를 해결하고, 미래를 위해 인류의 풍요로운 생활과 사회의 발전에 기여」하기 위해 노력할 것입니다.