로옴, 업계 최고의 낮은 ON 저항을 실현한 100V 내압 듀얼 MOSFET
글/반도체네트워크 편집부 2023.08.04
최근 통신 기지국 및 산업기기에서는 전류치를 낮추어 고효율화를 실현하기 위해, 기존의 12V / 24V 계통에서 48V 계통으로 전원의 고내압화가 추진되고 있다. 그리고, 이러한 기기를 냉각시키기 위한 팬 모터에도 48V 계통의 전원이 사용됨에 따라, 스위칭 용도의 MOSFET에는 전압 변동을 고려하여 100V 내압 제품이 요구되고 있다. 그러나, 내압을 높이게 되면, 트레이드 오프 관계인 ON 저항도 높아져 효율이 악화되기 때문에 고내압화와 낮은 ON 저항화를 동시에 실현하는 것이 과제로 중요시되고 있다. 일반적으로 팬 모터의 경우, 여러 개의 구동용 MOSFET가 사용되고 있으므로, 스페이스 절약의 관점에서 2개의 칩을 1개의 패키지에 탑재한 듀얼 MOSFET의 채용이 가속화되고 있다.
이러한 상황에서 로옴은 최신 프로세스를 사용하여 Nch, Pch의 MOSFET 칩을 개발하고, 방열성이 우수한 이면 방열 패키지를 채용함으로써 업계 최고의 낮은 ON 저항을 실현한 새로운 시리즈를 개발했다.
로옴(www.rohm.co.kr)은 통신 기지국 및 산업기기용 팬 모터 구동에 최적인 100V 내압의 MOSFET 2칩을 1개의 패키지에 탑재한 듀얼 MOSFET를 개발하여, HP8KEx / HT8KEx (Nch+Nch) 시리즈, HP8MEx (Nch+Pch) 시리즈 등 5기종을 새롭게 구비했다.
신제품은 로옴의 최신 프로세스와 이면 방열 패키지를 채용함으로써, 업계 최고의 낮은 ON 저항 (Ron)을 달성했다 (Nch+Nch의 경우, HSOP8로 19.6mΩ, HSMT8로 57.0mΩ). 일반적인 듀얼 MOSFET에 비해 ON 저항을 최대 56% 저감하여, 기기의 저소비전력화에 크게 기여한다. 또한, 2개의 칩을 1개의 패키지에 탑재함으로써 면적을 삭감할 수 있어, 기기의 스페이스 절약화에 기여한다. 예를 들어, HSOP8의 경우, 1칩 내장의 싱글 MOSFET (TO-252) 2개를 대체하여 사용할 수 있으므로, 면적을 77% 삭감할 수 있다.
신제품은 7월부터 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시 (샘플 가격 : 550엔 / 개, 세금 불포함) 했다.
로옴은 듀얼 MOSFET 제품으로, 산업기기용 내압 라인업 확충 및 Low Noise 제품의 개발을 추진하고 있다. 이에 따라 향후 폭넓은 어플리케이션의 저소비전력화와 스페이스 절약화에 기여함으로써 환경 보호 등 사회 과제 해결에 기여해 나갈 것이다.
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