로옴, 저손실화와 소형화에 기여하는 EcoGaN™ 파워 스테이지 IC 개발
글/반도체네트워크 편집부 2023.07.21
로옴 (ROHM) 주식회사(www.rohm.co.kr)는 데이터 서버 등의 산업기기, AC 어댑터 등의 민생기기에서 사용되는 1차 전원용으로 650V GaN HEMT 및 게이트 구동용 드라이버 등을 1패키지에 탑재한 파워 스테이지 IC BM3G0xxMUV-LB(BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB)를 개발했다.
신제품은 차세대 파워 디바이스인 650V GaN HEMT와 GaN HEMT의 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 전용 게이트 구동용 드라이버 및 추가 기능, 주변 부품을 1패키지에 탑재했다. 또한, 폭넓은 구동전압 범위 (2.5V~30V) 등, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능한 성능을 구비하여, 기존의 실리콘 MOSFET의 대체 사용이 용이하다. 이에 따라, Si MOSFET에 비해 부품 체적을 약 99%, 전력 손실을 약 55% 삭감할 수 있어, 저손실화와 소형화를 동시에 실현할 수 있다.
신제품은 2023년 6월부터 양산을 개시했다. 또한, 신제품과 평가 보드 3개 제품 (BM3G007MUV-EVK-002, BM3G007MUV-EVK-003, BM3G015MUV-EVK-003)의 온라인에서 구입이 가능하다.
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