Vishay Intertechnology, 고주파 애플리케이션의 효율성을 높이는 650V SiC 쇼트키 다이오드
Vishay Intertechnology는 10개의 새로운 650V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 출시했다. 병합된 PIN 쇼트키(MPS) 설계를 특징으로 하는 Vishay Semiconductors 디바이스는 온도 변화의 영향에 관계없이 스위칭 손실을 줄여 고주파 애플리케이션의 효율성을 높이고 다이오드가 더 높은 온도에서 작동할 수 있도록 설계되었다.
이번에 출시된 다이오드의 MPS 설계는 쇼트키 장벽으로부터 전기장을 차폐하여 누설 전류를 줄이고 정공 주입을 통해 서지 전류 성능을 향상시킨다. 순수 실리콘 쇼트키 디바이스와 비교하여 다이오드는 순방향 전압 강하가 약간만 증가하여 동일한 수준의 전류를 처리하는 동시에 훨씬 더 높은 견고성을 보여준다.
이 디바이스는 플라이백 전원 공급 장치 및 서버, 통신 장비, UPS 및 태양광 인버터용 LLC 컨버터의 PFC 및 출력 정류용으로 설계되어 설계자에게 시스템 최적화에서 향상된 유연성을 제공한다. 다이오드는 2L TO-220AC 및 TO-247AD 3L 패키지에서 4A~40A의 정격 전류로 제공되며 +175°C까지 고온 작동을 제공한다.
현재 새로운 SiC 다이오드의 샘플 및 양산용 제품을 구입할 수 있으며 리드 타임은 10주이다.
디바이스 사양
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