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Toshiba, 전압 공진회로용 개별 IGBT 신제품 출시… 전력 소비 절감 및 제품 설계 용이

<도시바가 테이블톱 IH 조리기 및 기타 가전제품에 사용되는 전압 공진회로용 1350V 개별 IGBT인 GT20N135SRA를 출시했다>

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)이 테이블톱 IH(유도가열 방식) 조리기, IH 전기 밥솥, 전자레인지 및 기타 가전제품용 전압 공진회로에 사용되는 1350V 개별 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)인 ‘GT20N135SRA’를 출시했다.

제품 출하는 23일부터 시작했다.

‘GT20N135SRA’는 컬렉터(collector)와 이미터(emitter) 간 포화 전압이 1.75V이고 다이오드(diode) 순방향 전압이 1.8V로서 현재 사용 중인 제품보다 각각 약 10%와 21% 정도 낮다. 새로운 IGBT와 다이오드는 모두 고온(TC=100℃)에서의 전도 손(損) 특성이 향상되어 IGBT는 가전제품의 전력 소비를 줄일 수 있게 한다. 또 신제품은 접합점에서 케이스까지(junction-to-case)의 열저항이 0.48℃/W(최대)로서 현재 사용 중인 제품에 비해 약 26% 낮아서 열 설계를 더 쉽게 할 수 있게 한다.

새로운 IGBT는 가전제품을 켤 때 공진 축전기에 흐르는 단락 전류를 억제한다. 그 단락 전류의 최곳값은 현재 사용 중인 제품보다 약 31% 낮은 129A이다. 신제품은 안전한 작동 범위가 확대됐기 때문에 기존 제품에 비해 가전제품을 더 쉽게 설계할 수 있게 한다.

적용 제품
전압 공진회로를 사용하는 가전제품(테이블톱 IH 조리기, IH 전기 밥솥, 전자레인지 등)

특징
· 전도 손이 낮다:
  ∘ V_CE(sat)=1.6V(typ.) (@I_C=20A, V_GE=15V, Ta=25℃)
  ∘ V_F=1.75V (typ.) (@I_F=20A, V_GE=0V, Ta=25℃)
· 접합점에서 케이스까지의 열저항이 낮다: R_th(j-C)=0.48℃/W(최대)
· 가전제품을 켤 때 공진 축전기에 흐르는 단락 전류를 억제한다.
· 안전한 작동 범위가 넓다.

leekh@seminet.co.kr
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