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램리서치, 혁신적인 식각 신기술로 차세대 3D 메모리 제조를 향상시키다

<업계 선두의 Sense.i™ 식각 플랫폼에 장착되는 램리서치의 새로운 Vantex™ 챔버>

Vantex™의 새로운 기술 혁신과 Equipment Intelligence®로 고종횡비(high aspect ratio) 식각이 재정의되면서 칩 제조업체들은 3D NAND 및 DRAM 로드맵을 발전시킬 수 있게 됐다.

램리서치는 현재 출시되어 있는 식각 플랫폼 중 지능면에서 가장 앞선 Sense.i™에 맞게 설계된 최신 유전체 식각(dielectric etch) 기술 Vantex™를 오늘 공개했다. 식각 기술 분야를 선도하는 램리서치의 기술력을 바탕으로 구축된 선도적인 디자인 설계는 현재와 미래 세대의 NAND 및 DRAM 메모리 소자 성능은 물론 그 확장성까지 향상시킬 수 있게 됐다.

스마트폰, 그래픽 카드, 솔리드 스테이트(solid-state) 스토리지 드라이브 등에 사용되는 3D 메모리 소자를 만드는 칩 제조업체들은 소자의 높이 치수는 늘리고 가로 임계치수(critical dimension, CD)는 줄여 노드의 비트당 원가를 줄이기 위해 끊임없이 노력해왔다. 그 결과 3D NAND와 DRAM의 식각 종횡비가 새로운 차원에 도달하고 있다.   

Vantex의 챔버 설계가 새롭게 바뀌어 전보다 높은 수준의 무선 주파수(radio frequency, RF) 전력을 사용할 수 있게 되면서 고종횡비 피처(feature)의 생산량 증가와 비용 조정이 가능해졌다. 파워 향상에 RF 펄스 기술 발전까지 더해져 소자 성능 개선에 필요한 CD 정밀 제어가 실현됐다.

3D NAND 소자는 새로운 세대로 나아갈 때마다 더 깊게 식각해야 하기 때문에 식각 프로파일의 균일성이 중요하다. Vantex 기술은 식각의 수직 각도를 제어해 이러한 3D 소자 피처에 필요한 엄격해진 배치 조건을 충족하며 300mm 웨이퍼 전반에 걸쳐 높은 수율을 달성하게 한다.

램리서치의 바히드 바헤디(Vahid Vahedi, senior vice president and general manager of the Etch product group)는 “램리서치는 고종횡비 식각 분야에서 십여 년 이상 업계 선두를 지켜오면서 쌓은 독자적인 노하우를 바탕으로 준비단계부터 향후 여러 노드의 확장성과 혁신을 염두에 두고 Vantex 챔버를 설계했다”며 “Vantex는 성능 및 생산성의 기준을 재정의하였고, 고객들은 이 혁신적인 식각 기술을 활용하게 될 것”이라고 말했다.

Equipment Intelligence®가 탑재된 램리서치 Sense.i 식각 플랫폼은 수백 개의 모니터링 센서 시스템과 프로세스 성능 관련 데이터를 수집하는 기능을 갖추고 있다. Vantex 챔버는 Sense.i 시스템의 고대역 통신을 활용하여 지금까지 시장에 출시된 다른 어떤 장비보다 웨이퍼당 데이터를 더 많이 수집하고 훨씬 더 효율적으로 활용하기 때문에 온웨이퍼(on-wafer) 성능과 웨이퍼 간 (wafer-to-wafer) 성능을 모두 개선할 수 있다.

Vantex는 램리서치의 주요 메모리 고객들이 적격성을 평가할 수 있도록 Sense.i 플랫폼에 탑재되어 납품되며 2021년에는 재주문을 통해 대량 생산할 예정이다. 

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