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ST마이크로일렉트로닉스, 최신 고속 기술로 향상된 성능 제공하는 650V 고주파 IGBT 출시

다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스가 ST의 최신 TFS(Trench Field Stop) 기술을 활용해 PFC 컨버터, 용접기, 무정전 전원 공급장치(UPS), 태양광 인버터 등의 중고속 애플리케이션에서 효율성과 성능을 향상시키는 650V IGBT 시리즈 HB2를 출시했다. 이 시리즈 제품에는 AEC-Q101 Rev. D 인증을 충족시키는 자동차 등급 디바이스도 포함되어 있다.

STPOWER™ 포트폴리오에 새롭게 추가된 HB2 시리즈는 포화전압(VCEsat)이 1.55V로 낮기 때문에 전도 성능이 뛰어나다. 이와 함께 낮은 게이트 전류에서 신속한 스위칭을 지원하는 게이트 차지가 감소되어 동적 특성(dynamic behavior)이 한층 강화되었다. 열 성능도 탁월하여 안정성과 전원 밀도를 극대화하게 해주는 등, 시장에서 매우 경쟁력 있는 신제품이 됐다. 

HB2 시리즈의 IGBT들은 전정격 또는 반정격 다이오드나 우발적인 역 바이어스 방지를 위한 보호 다이오드 중에서 선택할 수 있기 때문에 특정 애플리케이션에 맞게 동작을 최적화할 수 있다.

새로운 650V 디바이스 중 첫 번째로 출시된 40A STGWA40HP65FB2는 TO-247 LL(Long-Lead) 패키지로 제공되며, 가격은 1,000개당 $2.95에서 시작한다.

보다 자세한 정보는 http://www.st.com/igbt-hb2-series에서 확인할 수 있다.

STMicroelectronics 소개
ST에는 4만 8000명의 반도체 기술 크리에이터 및 제작자들이 최첨단 공정 시설과 더불어 반도체 공급 체인을 마스터링하고 있다. 통합형 디바이스 제조사로서 ST는 20만의 고객들, 수 천의 파트너사들과 협력하여 그들의 도전과제와 기회를 함께 하고 보다 지속가능한 세상을 지원하려는 니즈를 해결할 수 있는 제품, 솔루션, 에코시스템을 설계하고 구축한다. ST의 기술로 보다 스마트한 모빌리티, 효율적인 전력 및 에너지 관리, IoT 및 커넥티비티의 광범위한 구축을 실현할 수 있다. 또한, ST는 2027년까지 탄소 중립을 달성하는 데 주력하고 있다. ST에 대한 보다 자세한 내용은 www.st.com에서 확인할 수 있다.