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ST마이크로일렉트로닉스, 유연성과 안전성 갖춘 공간절감형 풀-브리지 600V/3.5A SiP 출시

다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 고전압 브러시 DC 및 단상 브러시리스 모터 애플리케이션을 위한 새로운 전력 드라이버 SiP(System-in-Package) 시리즈의 두 번째 제품인 고밀도 전력 드라이버 PWD5F60를 출시했다. 이 SiP 솔루션은 600V/3.5A 단상 MOSFET 브리지와 게이트 드라이버 및 부트스트랩 다이오드, 보호 기능 및 2개의 비교기를 15 x 7mm 패키지에 통합했다. 열 효율이 뛰어난 이 SiP는 디스크리트 부품에 비해 보드 공간을 60% 적게 차지하면서도 신뢰성은 높이고, 설계 및 어셈블리를 간소화해준다.

단상 풀-브리지 모듈인 PWD5F60은 산업용 펌프 및 팬, 송풍기, 가전, 공장 자동화 시스템과 같은 애플리케이션의 브러시 DC 모터를 구동하는 데 적합하다. 특히 합리적 가격으로 뛰어난 내구성과 효율성을 보장해야 하는 단상 브러시리스 모터를 사용하는 기기에 더욱 적합하다. 전원공급 장치에도 비용 효율적이면서도 편리하게 사용할 수 있다.

1.38Ω의 온저항을 구현하는 PWD5F60의 통합 N-채널 MOSFET은 높은 효율로 중전력(Medium-Power) 부하를 처리할 수 있다. 게이트 드라이버는 안정적인 스위칭과 낮은 EMI(Electromagnetic Interference)에 최적화되어 있으며, 통합 부트스트랩 다이오드는 하이-사이드 입력을 공급하기 위해 외부 다이오드 및 수동부품을 사용하지 않고도 고전압 스타트업을 가능하게 해준다.

또한, 2개의 임베디드 부동 비교기를 갖춰 유연성이 보장되므로 피크 전류 제어 또는 과전류 및 과열 보호 기능을 손쉽게 구현할 수 있다. 포지셔닝 홀-효과(Hall-Effect) 센서와 함께 사용되는 피크 전류 제어는 전용 MCU가 없어도 독립형 컨트롤러로 작동할 수 있어 제어 전자장치의 비용을 대폭 절감해준다. 이외에도 조정 가능한 데드-타임(Dead-Time) 및 MOSFET을 단일 풀-브리지 또는 두 개의 하프-브리지로 구성할 수 있는 옵션을 제공함으로써 유연성을 극대화한다. 동작전압 범위는 10V에서 20V까지 확장되었으며, 입력은 3.3V ~ 15V 제어 신호와 호환되어 홀 센서 또는 호스트 마이크로컨트롤러나 DSP와 쉽게 인터페이스 할 수 있다.

낮은 효율 및 위험한 조건에서의 동작을 방지함으로써 디바이스를 보호하는 교차-전도(Cross-Conduction) 방지 및 UVLO(Under-Voltage Lockout) 기능도 이미 내장되어 있다.

PWD5F60은 현재 멀티-아일랜드(Multi-Island) VFQFPN 패키지로 생산 및 공급 중이며, 디바이스의 가격은 1,000개 주문 시 2.15달러에서 시작한다. 이 디바이스는 독일 뮌헨에서 열리는 일렉트로니카 2018(11월 13일 ~ 16일)의 ST 부스(홀 C3/101)에서 전시될 예정이다.

보다 자세한 정보는 www.st.com/pwd에서 확인할 수 있다.

STMicroelectronics 소개
ST에는 4만 8000명의 반도체 기술 크리에이터 및 제작자들이 최첨단 공정 시설과 더불어 반도체 공급 체인을 마스터링하고 있다. 통합형 디바이스 제조사로서 ST는 20만의 고객들, 수 천의 파트너사들과 협력하여 그들의 도전과제와 기회를 함께 하고 보다 지속가능한 세상을 지원하려는 니즈를 해결할 수 있는 제품, 솔루션, 에코시스템을 설계하고 구축한다. ST의 기술로 보다 스마트한 모빌리티, 효율적인 전력 및 에너지 관리, IoT 및 커넥티비티의 광범위한 구축을 실현할 수 있다. 또한, ST는 2027년까지 탄소 중립을 달성하는 데 주력하고 있다. ST에 대한 보다 자세한 내용은 www.st.com에서 확인할 수 있다.