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실리콘랩스, 과도 내성 대폭 강화 및 지연 시간 50% 저감한 절연형 게이트 드라이버

실리콘랩스(www.silabs.com)는 게이트 드라이버를 파워 트랜지스터에 보다 가깝게 배치함으로써 컴팩트한 PCB 설계를 구현할 수 있도록 보다 빠르고 안전한 스위칭, 낮은 지연과 높은 내성 특성을 조합한 새로운 Si823Hx/825xx 절연형 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다. 이들 게이트 드라이버 제품에서 이루어진 혁신 덕분에, 전력 변환기 설계자는 SiC, GaN, 고속 Si FET 같은 신기술들을 활용할 수 있게 됐을 뿐 아니라, 더욱 강화된 에너지 효율 기준 및 크기 제한을 충족하거나 능가하는 제품을 설계할 수 있게 됐다. 

실리콘랩스의 브라이언 미르킨(Brian Mirkin) 부사장 겸 전력 제품 총괄 매니저는 “자동차, 산업 및 재생에너지 분야의 전력 변환기 설계자들은 새로운 에너지 효율 기준과 신기술 옵션을 통해 역동적인 환경을 관리하고 있으며, 이와 함께 안전성과 전력 양쪽 모두에 대한 계속되는 요구 사항들을 충족하고 있다”며, “실리콘랩스의 새로운 절연형 게이트 드라이버는 더욱 확장된 입력 전압 범위, 더 낮은 지연, 우수한 잡음 내성, 더욱 빠른 스위칭 성능 등 업계의 전력 엔지니어들이 필요로 하는 뛰어난 성능들을 제공하며 업계 요구사항을 뛰어 넘는다”고 말했다. 

실리콘랩스의 절연형 게이트 드라이버 기술은 데이터센터용 전원공급장치, 태양광 발전용 마이크로 인버터, 자동차용 트랙션 인버터, 산업용 전원공급장치를 포함한 광범위한 전원 응용분야에 활용된다. 

Si823Hx/825xx 제품군의 차별화된 특징들은 까다로운 전원 환경에서 작업하는 설계자의 요구 사항들을 지원하도록 특별히 구성되었다. 이들 제품은 신속한 FET 턴온을 위해 보다 높은 소스 전류를 제공하는 독창적인 부스터 디바이스를 제공한다. 이 대칭형 4A 싱크/소스 능력은 소스 전류가 이전 세대 드라이버와 비교할 때 거의 두 배에 해당하기 때문에, 스위칭 손실을 줄이는 데 도움이 된다. 새로운 절연형 게이트 드라이버 제품들은 최대 전파 지연을 절반 수준인 30ns로 줄여 피드백 루프 지연을 줄임으로써 더욱 높은 시스템 효율을 보여 준다. 또한 이들 드라이버는 과도 잡음 내성이 향상되어, 본질적으로 잡음이 발생하는 환경에서도 강건한 작동을 보장한다. 입력 전압 범위(VDDIH)도 4.5 ~ 20V까지 확장되어 통상적인 아날로그 컨트롤러의 파워 레일과 직접 인터페이스가 가능하다.

보드에서 차지하는 면적이 중요하기 때문에, Si823Hx/Si825xx는 몇 가지 패키지 옵션을 제공한다. 이 컴팩트한 드라이버는 16핀 패키지 대응품과 8 핀 패키지로 공급되어 시스템 크기와 비용을 줄여준다. 그 밖에 새롭게 업그레이드된 기능들로는 온도가 너무 높아지면 드라이버를 자동으로 셧오프시키는 OTP(over-temperature protection) 기능이 있다. 또한 안전성을 극대화하기 위해 데드 타임(dead time), 오버랩 방지, 그리고 입력 잡음 제거(de-glitch) 기능들이 추가되었다. 

실리콘랩스의 새로운 Si823Hx/825xx 절연형 게이트 드라이버는 2020년 4분기에 자동차 등급 제품이 출시될 예정이다. 단일 Si823H9x-IS 절연형 게이트 드라이버는 1,000개 수량 기준으로 개당 1.89달러(USD)이며, HS/LS Si825xx-IS3 (20V VDDIH) 드라이버는 1,000개 수량 기준으로 개당 2.92달러이다. 자세한 정보는 여기를 참조.

Silicon Labs 소개
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