죄송합니다. 더 이상 지원되지 않는 웹 브라우저입니다.

Maxim Integrated, CMTI가 아주 높은 절연 게이트 드라이버

SiC 게이트 드라이버의 견고성을 향상시키기 위해 CMTI가 높은 통합 절연

Maxim MAX2270x CMTI가 아주 높은 절연 게이트 드라이버는 300kV/μs(표준)의 초고 공통 모드 과도 내성(CMTI)을 갖춘 단일 채널 절연 게이트 드라이버이다. 이 디바이스는 다양한 인버터 또는 모터 제어 애플리케이션에서 실리콘 카바이드(SiC) 또는 갈륨 질화물(GaN) 트랜지스터를 구동하도록 설계되었다. 모든 디바이스는 Maxim의 독점적 공정 기술을 사용하는 디지털 전기 절연 기능을 통합하고 있다. 이 디바이스는 게이트 드라이버 공통 핀 GNDB(MAX22700), 밀러 클램프(MAX22701) 또는 가변 부족전압 로크아웃 UVLO(MAX22702)를 위한 출력 옵션이 있는 변형을 특징으로 한다. 또한 변형 제품은 차동(D 버전) 또는 단일 종단(E 버전) 입력으로 제공된다. 이 디바이스는 파워 도메인이 서로 다른 회로 간에 디지털 신호를 전송한다. 모든 디바이스에는 60초 동안 3.75kVRMS의 내전압 등급을 위한 절연 기능이 있다.

모든 디바이스는 최대 펄스 폭 왜곡이 2ns인 최소 펄스 폭 20ns를 지원한다. 부품 간 전파 지연은 +25°C 주변 온도에서 2ns(최대), -40~+125°C 작동 온도 범위에서 5ns(최대) 내에서 정합된다. 이 기능은 전력 트랜지스터의 가동 중지 시간을 줄여 전체 효율을 향상시킨다. MAX22700 및 MAX22702는 로우 측 드라이버의 경우 최대 RDSON이 1.25Ω이고, MAX22701의 로우 측 드라이버의 경우 RDSON이 2.5Ω이다. 모든 디바이스는 하이 측 드라이버의 경우 최대 RDSON이 4.5Ω이다.

MAX2270x는 다른 출력 게이트 구동 회로와 B 측 공급 전압으로 SiC 또는 GaN FET를 구동하는 데 사용할 수 있다. MAX2270x 제품군의 모든 디바이스는 4mm 연면 거리 및 간극을 갖춘 8핀 협폭 SOIC 패키지로 제공된다. 패키지 재료는 최소 비교 가능 추적 지수(CTI)가 600V이므로 연면 테이블에서 그룹 1 등급을 제공한다. 모든 디바이스는 -40°C~+125°C의 주변 온도에서 작동하도록 정격이 지정되어 있다.

주요 특징
• 정합 전파 지연
  ∘ 최소 펄스 폭: 20ns
  ∘ 실온에서 전파 지연: 35ns
  ∘ 실온에서 부품 간 전파 지연 정합: 2ns
  ∘ -40~+125°C 온도 범위에서 부품 간 전파 지연: 5ns
• 견고한 갈바닉 절연
  ∘ 60초 동안(VISO) 3kVRMS에 견딤
  ∘ 848VRMS(VIOWM)에 연속으로 견딤
  ∘ 1.2/50μs 파형의 GNDB 및 VSSB 사이에서 ±5kV 서지 전압에 견딤
• 정밀도 UVLO
• 다양한 애플리케이션을 지원하는 옵션
  ∘ 3 출력 옵션: GNDB, Miller Clamp 또는 조절 가능 UVLO
  ∘ 2 입력 구성: 단일 엔드 활성화(E 버전) 또는 차동(D 버전)

애플리케이션
• 인버터용 절연 게이트 드라이버
• 모터 드라이브
• UPS 및 PV 인버터

leekh@seminet.co.kr
(끝)
<저작권자(c) 반도체네트워크, 무단 전재-재배포 금지>