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초고속, 에너지 절약형 제품을 위한 인텔 14나노미터 기술



인텔의 14나노미터 프로세스는 2세대 핀펫을 사용하여 성능을 향상시키는 한편 누출전력을 감소시켜 다양한 제품을 구현합니다. 인텔의 14나노미터 기술은 현재 대량 생산되고 있는 고성능 서버 및 FPGA는 물론 저전력 개인용 컴퓨팅 디바이스, 모바일 디바이스, 모뎀 및 IoT용 제품을 생산하는데 사용됩니다.

14나노미터 트랜지스터 핀은 밀도 및 성능을 향상시키기 위해 크고 얇은 형상을 띠고 있으며 향상된 밀적도와 성능을 갖추고 있습니다. 향상된 트랜지스터는 전반적인 프로세스 밀도를 향상시켰을 뿐 아니라 이전보다 적은 핀 수를 필요로 합니다. 트랜지스터 게이트 피치는 90나노미터에서 70나노미터로 줄어들고 최소 상호 연결피치는 80나노미터에서 52나노미터로 축소되어 37.5 MTr/제곱밀리미터(제곱밀리미터당 37백 5십만개의 트렌지스터) 로직 트랜지스터 벤치마크를 가능케 했습니다. 인텔의 14나노미터 기술은 전례가 없는 37배의 로직 영역 확장성을 제공하며 하이퍼스케일링 기술을 통해 22나노미터 노드에서 0.5배 이상의 전체 다이 수준의 확장성을 제공합니다.

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14 나노미터 하이퍼 스케일링

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14 나노미터 기술은 향상된 다이확장성을 제공합니다.

인텔 14나노미터 공정은 현재의 14/16/20 나노미터 공정보다 약 1.3배 우수한 확장성을 제공하여 트랜지스터당 소요되는 비용을 혁신적으로 감소시킵니다. “10나노미터” 기술은 2017년 출시될 예정으로 2014년 선적된 인텔의 14나노미터 기술과 비슷한 밀도를 보일 것으로 예상됩니다.

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14나노미터 기술의 하이퍼스케일링을 가능케하는 핵심요소 중 하나는 셀프얼라인드 더블패터닝(SADP)으로 이는 업계에서 사용하고 있는 LELE(litho-etch-litho-etch)접근 방식에 비해 높은 밀도를 보이며 수율에서의 이점을 제공합니다.

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더블 패터닝이 제조에 가져다 주는 이점

인텔은 14나노미터 공정기술의 힘을 지속적으로 개선시키고 있습니다. 14나노미터 프로세스를 지속적으로 최적화 시킴으로써 초기 14나노미터 프로세스 보다 최대 26% 성능을 향상시켰을 뿐 아니라 동일한 성능에서 50%이상의 유효전력감소 효과를 이루었습니다. 인텔 14+기술은 원래 14나노미터 기술보다 12%성능이 향상되었고, 인텔 14++기술은 24%성능이 개선되어 업계최고의 14/16나노미터 공정보다 20%이상 향상된 성능을 제공합니다.

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세계에서 가장 성능이 좋은 트랜지스터

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세계에서 가장 성능이 좋은 트랜지스터

인텔 14나노미터 기술은 광범위한 제품설계를 가능케하고 그 기능을 강화시킬 수 있는 모든 기능이 포함되어 있습니다. 이를 위해 고저항기판, 고 Q회로, 고밀도 Decaps, 딥Nwell, 정밀 저항기, 저누설/Long-L, 트랜지스터 및 RF트랜지스터 템플릿 및 모델링 등의 기능이 탑재되었습니다.

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인텔  14나노미터기술은 광범위한 기능을 제공합니다.

14나노미터 생산

인텔의 14나노미터기술은  현재 오레곤, 아리조나 및 아일랜드의 FAB에서 대량생산에 이용되어 현재까지 4억 4740만개의 14나노미터 제품이 출하되었습니다. 인텔 커스텀 파운드리는 14GP(범용) 및 14LP(저전력)의 두가지 설계 플랫폼을 기반으로 인텔 14나노미터 프로세스 제품을 고객에게 제공하고 있습니다. 이러한 플랫폼에는 IP포트폴리오를 위한 광범위한 실리콘 검증, 완벽하게 통합된 턴키 파운드리 서비스 및 지원이 포함되어 있습니다.




leekh@seminet.co.kr
(끝)
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