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새로운 전압 가변형 감쇠기 제품 출시 – GaAs 제품과 비교해서 1천 배 향상된 선형성 달성

지원 주파수 범위를 1MHz~6GHz로 확장하는 새로운 RF 전압 가변형 감쇠기 제품들로서, 낮은 삽입 손실과 높은 선형성 달성

Integrated Device Technology(IDT®)(NASDAQ: IDTI 한국지사장 이상엽)는 자사의 RF 전압 가변형 감쇠기(VVA) 제품군으로 2개의 새로운 제품을 추가한다고 밝혔다. 이로써 지원 주파수 범위를 1MHz~6GHz로 확장하게 되었다. 이 제품군의 다른 제품들과 마찬가지로 이들 F2255 및 F2258 디바이스는 업계에서 가장 낮은 삽입 손실과 가장 높은 선형성을 달성한다.
 
IDT의 VVA 제품은 정밀한 감쇠를 필요로 하는 애플리케이션으로 아날로그 제어를 가능하게 한다. 이들 두 제품 모두 컴팩트한 3mm x 3mm 16핀 TQFN 패키지로 제공된다. 또한 이들 제품은 경쟁 솔루션과 비교해서 삽입 손실은 약 절반이고, 경쟁 GaAs(gallium arsenide) 제품과 비교해서 IP3 성능은 1천 배 더 우수하며(30dB), 전압 제어 범위 전체에 걸쳐서 “linear-in-dB(dB에 있어서 선형적인)” 감쇠 특성을 나타낸다. 삽입 손실이 낮음으로써 RF 체인 경로 손실을 낮추며, 높은 선형성은 시스템 데이터 속도를 향상시킨다.
 
이들 새로운 디바이스 제품은 기지국(2G, 3G, 4G), 마이크로파 인프라, 공공 안전, 휴대용 무선 통신/데이터 장비, 테스트/ATE 장비, 군용 시스템, JTRS 무선, HF/VHF/UHF 무선 등에 사용하기에 적합하다.
 
IDT의 RF 부문 총괄 책임자인 Chris Stephens는 “IDT의 실리콘 기반 RF 제품은 GaAS 솔루션에 비해서 향상된 성능을 달성한다. 이들 제품의 경우에는 최대 30dB에 이르는 향상된 선형성을 달성한다. 이들 제품은 시중에 출시된 제품 중에서 삽입 손실이 가장 낮은 VVA 제품들로서 가장 선형적인 감쇠 제어 특성을 달성한다”고 말했다.
 
IDT의 감쇠기 제품들은 실리콘 기반 RF 반도체 기술을 사용함으로써 이전의 GaAs 기반 반도체 기술에 비해서 견고성이 뛰어난 대안을 제공한다. 실리콘 기술은 향상된 RF 성능을 달성하고 더 견고한 ESD(electrostatic discharge) 보호, 더 우수한 MSL(습도 민감성 수준), 향상된 열 성능, 더 낮은 전류 소모를 달성할 뿐만 아니라 실리콘 기술의 검증된 신뢰성을 제공한다.
 
F2258을 핀 호환 GaAs 경쟁 솔루션과 비교해 보면, 입력 IP3은 최대 65dBm 대 35dBm이고, 최대 감쇠 기울기는 33dB/Volt 대 53dB/Volt이고, 최소 리턴 손실은 6000MHz일 때 12.5dB 대 7dB이고, 최대 동작 온도 범위는 105C 대 85C이다. F2255는 최저 1MHz까지 주파수 범위를 지원하며 최대 감쇠 기울기가 33dB/Volt이다. F2255와 F2258 모두 양방향 RF 포트, 3V 또는 5V 단일 양 전원, -40C~105C 동작 온도 범위를 특징으로 한다.

leekh@seminet.co.kr
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