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인피니언, 뛰어난 효율을 제공하는 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군 출시

인피니언 테크놀로지스는 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 밝혔다. CoolSiC Hybrid 제품군은 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC (역률 보상)에 매우 적합하며, 주요 애플리케이션은 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치 (UPS), 서버 및 텔레콤 SMPS 등이다. 

CoolSiC Hybrid IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합하여, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60퍼센트, Eoff는 최대 30퍼센트까지 낮춘다. 또 다르게는 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40퍼센트까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM (bill of materials) 비용을 낮출 수 있다. TRENCHSTOP 5 IGBT를 Hybrid IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율을 0.1퍼센트 향상시킬 수 있다.

이들 제품은 순수 실리콘 솔루션과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 역할을 할 것이다. 순수 실리콘 디자인과 비교해서 Hybrid IGBT는 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 또한 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다. 고객들은 TO-247-3핀 패키지나 TO-247-4핀 켈빈 이미터 패키지 중에서 선택할 수 있다. 켈빈 이미터 패키지의 네 번째 핀은 인덕턴스가 매우 낮은 이미터 제어 루프를 가능하게 하고 총 스위칭 손실을 낮춘다. 

공급

CoolSiC Hybrid 디스크리트 IGBT 제품군은 현재 주문 가능하다. 40A, 50A, 75A 650V TRENCHSTOP 5 초고속 H5 IGBT에 정격이 절반인 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들과 중간 속도 S5 IGBT에 정격이 동일한 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들을 포함한다. 

Infineon 소개
독일 노이비베르크(Neubiberg)에 소재한 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies AG)는 에너지 효율, 모빌리티, 보안 등 현대 사회의 세 가지 핵심 과제에 대한 반도체와 시스템 솔루션을 제공한다. 9월30일 마감된 2013 회계연도의 매출액은 38억 4천만 유로이며, 전 세계에 약 26,700명의 직원을 두고 있다. 인피니언은 미국 캘리포니아의 밀피타스, 아시아 태평양의 싱가포르, 일본의 도쿄를 중심으로 전 세계에 지사를 운영 중이다. 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier(거래 심볼: IFNNY)에 등록되어 있다.