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Infineon, PQFN 3.3x3.3mm 패키지 OptiMOS™ Source-Down 25V 전력 MOSFET 출시

인피니언 테크놀로지스는 첨단 전력 관리 디자인의 과제를 해결하기 위해 부품 차원의 향상을 통한 시스템 혁신에 집중하고 있다. 인피니언은 새로운 산업 표준 패키지 컨셉 ‘Source Down’을 적용한 첫 전력 MOSFET으로 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지 OptiMOS™ 25V 제품을 출시했다. MOSFET 성능에 있어서 업계에 새로운 기준을 제시하는 이 디바이스는 낮아진 온(on) 상태 저항(RDS(on))과 뛰어난 열 관리 능력을 제공하여, 드라이브, SMPS (서버, 텔레콤, OR-ing), 배터리 관리 등 다양한 애플리케이션에 적합하다.

새로운 패키지 컨셉은 드레인 (drain) 전위 대신 소스 (source) 전위를 열 패드로 연결한다. 이렇게 하면 새로운 PCB 레이아웃이 가능해지고 더 높은 전력 밀도와 성능 달성에 도움이 된다. Source-Down 표준 게이트와 Source-Down 중앙 게이트 두 가지 풋프린트 버전이 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 제공된다. Source-Down 표준 게이트 풋프린트는 현행 PQFN 3.3mm x 3.3mm 핀아웃 구성을 사용한다. 전기 배선 위치가 동일하므로, 표준 Drain-Down 패키지를 새로운 Source-Down 패키지로 바로 교체할 수 있다. 중앙 게이트 버전은 게이트 핀을 중앙으로 옮겨서 여러 개 MOSFET을 손쉽게 병렬로 구성할 수 있다. 드레인-소스 연면거리가 더 넓기 때문에 단일 PCB 레이어로 여러 디바이스의 게이트들을 연결할 수 있다. 또한 게이트를 중앙으로 옮김으로써 소스 면적이 넓어지고 디바이스의 전기적 연결을 향상시킨다.

이 기술 혁신으로 현행 기술 대비 RDS(on)을 30%까지 크게 낮출 수 있다. 접합부 대 케이스 열 저항(RthJC) 역시 현행 PQFN 패키지 대비 크게 향상된다. 기생성분을 낮추고, PCB 손실을 줄이고, 열 성능이 뛰어나므로 다양한 첨단 엔지니어링 디자인에 큰 이점을 제공한다.

공급

PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 제공되는 OptiMOS™ Source-Down 25V 전력 MOSFET 제품은 현재 공급을 시작했다. 제품에 관한 추가 정보는 www.infineon.com/pqfn-3-source-down에서 볼 수 있다.

Infineon 소개
독일 노이비베르크(Neubiberg)에 소재한 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies AG)는 에너지 효율, 모빌리티, 보안 등 현대 사회의 세 가지 핵심 과제에 대한 반도체와 시스템 솔루션을 제공한다. 9월30일 마감된 2013 회계연도의 매출액은 38억 4천만 유로이며, 전 세계에 약 26,700명의 직원을 두고 있다. 인피니언은 미국 캘리포니아의 밀피타스, 아시아 태평양의 싱가포르, 일본의 도쿄를 중심으로 전 세계에 지사를 운영 중이다. 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier(거래 심볼: IFNNY)에 등록되어 있다.