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Infineon, 부트스트랩 다이오드 내장 650V 하프 브리지 SOI 드라이버 출시



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인피니언 테크놀로지스는 SOI (silicon on insulator) 기술 기반 650V 하프 브리지 게이트 드라이버를 EiceDRIVER™ 제품군에 추가한다고 밝혔다. 새로운 제품은 네거티브 트랜션트 전압 내성이 뛰어나고, 부트스트랩 다이오드를 모노리딕 방식으로 통합하였으며, 래치업 내성이 뛰어나다. 따라서 MOSFET과 IGBT 기반 인버터 애플리케이션에서 BOM 비용을 줄이면서 강건성과 신뢰성이 향상된 디자인을 가능하게 한다. 출력 전류가 높은 2ED218x 제품은 인덕션 레인지, 에어컨 컴프레서, SMPS, UPS 같은 고주파 애플리케이션에 적합하다. 출력 전류가 낮은 2ED210x 제품은 가전기기, 전동 공구, 모터 제어 및 드라이브, 팬, 펌프 등에 적합하다.

2ED218x는 2.5A 고전류 EiceDRIVER 제품이며, 2ED210x는 0.7A 저전류 제품이다. 셧다운 기능이나 개별적인 로직 및 전원 접지를 포함하는 다양한 구성의 제품을 제공한다. 내장된 부트스트랩 다이오드는 36Ω의 정격 온저항에서 매우 빠른 역회복 특성을 제공한다. -100V의 반복적인 300ns 펄스에 대한 네거티브 트랜션트 내성은 매우 강건하고 신뢰할 수 있는 동작을 보장한다. 인터록 기능을 사용한 데드 타임 기능과 상하측 전원에 대한 독립적인 게이트 저전압 록아웃 (UVLO) 기능은 안전한 동작을 지원한다. 이들 게이트 드라이버의 전달 지연시간은 200ns이다.

공급

전기적 및 기능적으로 2ED218x와 2ED210x는 이전 세대 IR(S)218x 및 IR(S)210x 제품과 호환 가능하다. 산업 표준 DSO-8(SOIC8) 및 DSO-14(SOIC-14) 패키지로 제공되며, 2kV HBM ESD 정격이다(2ED218x 제품). 2ED218x와 2ED210x 제품 모두 현재 양산을 시작했으며, 양산 샘플 주문이 가능하다. 추가 정보는 www.infineon.com/SOI에서 볼 수 있다.




leekh@seminet.co.kr
(끝)
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